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Samsung M378T5663EH3-CE6 Benutzerhandbuch

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Seite von 25
Rev. 1.02 October 2008
UDIMM
DDR2 SDRAM
 17 of 25
12.4 M391T5663EH3 : 2GB(128Mx8 *18) ECC Module
(T
A
=0
o
C, V
DD
= 1.9V)
* Module IDD  was calculated on the basis of component IDD
 
and  can be differently measured  according to DQ loading cap.
Symbol
800@CL=5
800@CL=6
667@CL=5
Units
Notes
CE7
CF7
CE6
IDD0
468
468
450
mA
IDD1
522
522
495
mA
IDD2P
90
90
90
mA
IDD2Q
207
207
207
mA
IDD2N
252
252
243
mA
IDD3P-F
234
234
225
mA
IDD3P-S
135
135
135
mA
IDD3N
333
333
315
mA
IDD4W
648
648
585
mA
IDD4R
810
810
720
mA
IDD5
1,080
1,080
1,035
mA
IDD6
90
90
90
mA
IDD7
1,530
1,530
1,395
mA
(T
A
=0
o
C, V
DD
= 1.9V)
* Module IDD  was calculated on the basis of component IDD
 
and  can be differently measured  according to DQ loading cap.
Symbol
800@CL=5
800@CL=6
667@CL=5
Units
Notes
CE7
CF7
CE6
IDD0
720
720
693
mA
IDD1
774
774
738
mA
IDD2P
180
180
180
mA
IDD2Q
414
414
414
mA
IDD2N
504
504
486
mA
IDD3P-F
468
468
450
mA
IDD3P-S
270
270
270
mA
IDD3N
585
585
558
mA
IDD4W
900
900
828
mA
IDD4R
1,062
1,062
963
mA
IDD5
1,332
1,332
1,278
mA
IDD6
180
180
180
mA
IDD7
1,782
1,782
1,638
mA
12.3 M391T2863EH3 : 1GB(128Mx8 *9) ECC Module