Fujifilm Xeon S26361-F3099-L828 Datenbogen

Produktcode
S26361-F3099-L828
Seite von 86
76
Datasheet
6.2.5
THERMTRIP# Signal Pin
Regardless of whether or not Thermal Monitor is enabled, in the event of a catastrophic cooling 
failure, the processor will automatically shut down when the silicon has reached an elevated 
temperature (refer to the THERMTRIP# definition in 
). At this point, the system bus 
signal THERMTRIP# will go active and stay active as described in 
. THERMTRIP# 
activation is independent of processor activity and does not generate any bus cycles. 
6.2.6
T
CONTROL
 and Fan Speed Reduction
T
CONTROL
 is a temperature specification based on a temperature reading from the thermal diode. The 
value for T
CONTROL
 will be calibrated in manufacturing and configured for each processor. The 
T
CONTROL
 temperature for a given processor can be obtained by reading the IA-
32_TEMPERATURE_TARGET MSR in the processor. The T
CONTROL
 value that is read from the 
IA-32_TEMPERATURE_TARGET MSR must be converted from Hexadecimal to Decimal and 
added to a base value. The base value is 50 °C.
The value of T
CONTROL
 may vary from 0x00h to 0x1Eh. Systems that support the Low Voltage 
Intel
®
 Xeon™ processor with 800 MHz system bus must implement BIOS changes to detect which 
processor is present, and then select the appropriate Tcontrol_base value. 
When T
DIODE
 is above T
CONTROL
, then T
CASE
 must be at or below T
CASE_MAX
 as defined by the 
thermal profile. The processor temperature can be maintained at T
CONTROL
.
6.2.7
Thermal Diode
The processor incorporates an on-die thermal diode. A thermal sensor located on the system board 
may monitor the die temperature of the processor for thermal management/long term die 
temperature change purposes. 
 and 
 provide the diode parameter and interface 
specifications. This thermal diode is separate from the Thermal Monitor’s thermal sensor and 
cannot be used to predict the behavior of the Thermal Monitor.
NOTES:
1. Intel does not support or recommend operation of the thermal diode under reverse bias.
2. Characterized at 75°C.
3. Not 100% tested. Specified by design characterization.
4. The ideality factor, n, represents the deviation from ideal diode behavior as exemplified by the diode 
equation: I
FW
 = I
S
 * (e
qVD/nkT
 - 1)
Where I
S
 = saturation current, q = electronic charge, VD = voltage across the diode, k = Boltzmann Constant, 
and T = absolute temperature (Kelvin).
5. The series resistance, R
T
, is provided to allow for a more accurate measurement of the junction temperature. 
R
T
, as defined, includes the pins of the processor but does not include any socket resistance or board trace 
resistance between the socket and external remote diode thermal sensor. R
T
 can be used by remote diode 
thermal sensors with automatic series resistance cancellation to calibrate out this error term. Another 
application that a temperature offset can be manually calculated and programmed into an offset register in 
the remote diode thermal sensors as exemplified by the equation: T
error
 = [R
T
 * (N-1) * I
FW_min
] / [nk/q *ln N]
Where T
error
 = sensor temperature error, N =sensor current ratio, k = Boltzmann Constant, q= electronic 
charge.
Table 25. 
Thermal Diode Parameters
Symbol
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
I
FW
Forward Bias Current
11
187
µA
1
n
Diode ideality factor
1.0083
1.011
1.0183
2,3,4
R
T
Series Resistance
3.242
3.33
3.594
W
2,3,5