takeMS SODIMM DDR 512Mb PC 2700 DD512TEC200 User Manual

DD512TEC905B.fm Rev. C 08/2005

This takeMS 512MB device is a JEDEC standard Dou-

ble Data Rate2, Small Outline Dual Inline Memory Module
and is intended for mounting into 200-pin edge connector
sockets. DDR2 SDRAM modules use double data rate
architecture to achieve high-speed operation.

These devices consists of eight CMOS 64Mx8, 4-bank,

DDR2 SDRAMs in FBGA packages, all on a 200-pin glass
epoxy substrate.

Synchronous design allows for precise cycle control

with the use of the system clock. I/O transactions are possi-
ble on the rise and fall of every clock cycle. Range of operat-
ing frequencies and programmable latencies allows the
same device to be useful for a variety of high bandwidth,
high performance memory system applications.

• 200-pin, Small Outline, Dual In-line Memory Module 

(SODIMM)

• JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
• Differential clock inputs (CK, CK#)
• Command entered on each rising CK edge
• Differential data strobe (DQS, DQS#) option
• Four or eight internal device banks for concurrent 

operation

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh Mode 7.8125 

µs 

maximum average periodic refresh interval

• PCB: height 30 mm, 6 layer PCB

(Odd-Numbered Pins Front Side, Even-Numbered Pins Back Side)

1

V

REF

51

DQS2

101

A1

151

DQ42

2

V

SS

52

DM2

102

A0

152

DQ46

3

V

SS

53

V

SS

103

V

DD

153

DQ43

4

DQ4

54

V

SS

104

V

DD

154

DQ47

5

DQ0

55

DQ18

105

A10/AP

155

V

SS

6

DQ5

56

DQ22

106

BA1

156

V

SS

7

DQ1

57

DQ19

107

BA0

157

DQ48

8

V

SS

58

DQ23

108

RAS#

158

DQ52

9

V

SS

59

V

SS

109

WE#

159

DQ49

10

DM0

60

V

SS

110

S0#

160

DQ53

11

DQS0#

61

DQ24

111

V

DD

161

V

SS

12

V

SS

62

DQ28

112

V

DD

162

V

SS

13

DQS0

63

DQ25

113

CAS#

163

NC

14

DQ6

64

DQ29

114

ODT0

164

CK1

15

V

SS

65

V

SS

115

NC

165

V

SS

16

DQ7

66

V

SS

116

NC/A13

166

CK1#

17

DQ2

67

DM3

117

V

DD

167

DQS6#

18

V

SS

68

DQS3#

118

V

DD

168

V

SS

19

DQ3

69

NC

119

NC

169

DQS6

20

DQ12

70

DQS3

120

NC

170

DM6

21

V

SS

71

V

SS

121

V

SS

171

V

SS

22

DQ13

72

V

SS

122

V

SS

172

V

SS

23

DQ8

73

DQ26

123

DQ32

173

DQ50

24

V

SS

74

DQ30

124

DQ36

174

DQ54

25

DQ9

75

DQ27

125

DQ33

175

DQ51

26

DM1

76

DQ31

126

DQ37

176

DQ55

27

V

SS

77

V

SS

127

V

SS

177

V

SS

28

V

SS

78

V

SS

128

V

SS

178

V

SS

29

DQS1#

79

CKE0

129

DQS4#

179

DQ56

30

CK0

80

NC

130

DM4

180

DQ60

31

DQS1

81

V

DD

131

DQS4

181

DQ57

32

CK0#

82

V

DD

132

V

SS

182

DQ61

33

V

SS

83

NC

133

V

SS

183

V

SS

34

V

SS

84

NC

134

DQ38

184

V

SS

35

DQ10

85

NC/BA2

135

DQ34

185

DM7

36

DQ14

86

NC

136

DQ39

186

DQS7#

37

DQ11

87

V

DD

137

DQ35

187

V

SS

38

DQ15

88

V

DD

138

V

SS

188

DQS7

39

V

SS

89

A12

139

V

SS

189

DQ58

40

V

SS

90

A11

140

DQ44

190

V

SS

41

V

SS

91

A9

141

DQ40

191

DQ59

42

V

SS

92

A7

142

DQ45

192

DQ62

43

DQ16

93

A8

143

DQ41

193

V

SS

44

DQ20

94

A6

144

V

SS

194

DQ63

45

DQ17

95

V

DD

145

V

SS

195

SDA

46

DQ21

96

V

DD

146

DQS5#

196

V

SS

47

V

SS

97

A5

147

DM5

197

SCL

48

V

SS

98

A4

148

DQS5

198

SA0

49

DQS2#

99

A3

149

V

SS

199

V

DDSPD

40

NC

100

A2

150

V

SS

200

SA1

64Mx64 DDR2 SODIMM, based on 64Mx8, 4-bank, 1.8V, DDR2 SDRAMs