Intel SSD DC S3500 80GB SSDSC1NB080G4 User Manual

Product codes
SSDSC1NB080G4
Page of 31
 
Intel® Solid-State Drive DC S3500
 
Product Specification 
                                                April 2013 
 
Order Number: 328860-001US
 
Table 6. 
Quality of Service 
Specification 
Unit 
Intel SSD DC S3500 
Queue Depth=1 
Queue Depth=32 
80/120/160/ 
240 GB 
300/400/480/
600/800 GB   
80/120/160/ 
240 GB 
300/400/480/
600/800 GB 
Quality of Service
3, 4 
(99.9%) 
 
 
 
 
 
Reads 
ms 
0.5 
0.5 
Writes 
ms 
20 
10 
Quality of Service
3,4 
(99.9999%) 
 
 
 
 
 
Reads 
ms 
10 
10 
Writes 
ms 
10 
10 
30 
30 
 
Notes:   
1. 
Device measured using Iometer. Latency measured using 4 KB (4,096 bytes) transfer size with Queue Depth equal to 1 on a 
sequential workload. 
2.      Power On To Ready time assumes proper shutdown. Time varies if shutdown is not preceded by STANDBY IMMEDIATE command. 
3.       Device measured using Iometer. Quality of Service measured using 4 KB (4,096 bytes) transfer size on a random workload on a 
full Logical Block Address (LBA) span of the drive
 
once the workload has reached steady state but including all background 
activities required for normal operation and data reliability. 
4. 
Based on Random 4KB QD=1, 32 workloads, measured as the time taken for 99.9(or 99.9999) percentile of commands to finish 
the round-trip from host to drive and back to host. 
 
 
2.3 
Electrical Characteristics 
Table 7. 
Operating Voltage for 2.5-inch Form Factor 
Electrical Characteristics 
Intel SSDDC S3500 
80 GB, 120 GB, 160 GB, 240 GB, 300 GB, 480 GB, 600 GB, 800 GB 
5 V Operating Characteristics: 
 
Operating Voltage range 
Rise time (Max/Min) 
Fall time (Min) 
Noise level 
 
Min Off time 
Inrush Current (Typical Peak)
 1
 
 
 
5 V (±5%) 
1 s / 1 ms 
1 ms 
500 mV pp 10 Hz – 100 KHz 
50 mV pp 100 KHz – 20 MHz 
500 ms 
1.0 A, < 1 s 
12 V Operating Characteristics: 
 
Operating Voltage range 
Rise time (Max/Min) 
Fall time (Min) 
Noise level 
 
Min Off time 
Inrush Current (Typical Peak)
 1
 
 
 
12 V (±10%) 
1 s / 1 ms 
1 ms 
1000 mV pp 10 Hz – 100 KHz 
                                                          100 mV pp 100 KHz – 20 MHz     
                                                                                500 ms                                                                                                                                                               
1.0 A, < 1 s 
 
Notes: 
1.  
Measured from initial device power supply application.