Fairchild Semiconductor N/A KSE44H11TU Data Sheet

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1, June 2001

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

* Pulse test: PW

≤

300

µ

s, Duty cycle

≤

2%

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage              

 

: KSE44H 1,2
: KSE44H 4,5
: KSE44H 7,8
: KSE44H 10,11

  30
  45
  60
  80

V
V
V
V

 V

EBO

 Emitter- Base Voltage

   5

V

 I

C

 Collector Current (DC)

  10

A

 I

CP

 *Collector Current (Pulse)

  20

A

 P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

  50

W

 P

C

 Collector Dissipation (T

a

=25

°

C)

1.67

W

 T

J

 Junction Temperature

 150

°

C

 T

STG

 Storage Temperature

- 55 ~ 150

°

C

 I

CES

 Collector Cut-off Current

 V

CE 

= Rated V

CEO

, V

EB 

= 0

 10

µ

A

 I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= 5V, I

C 

= 0

100

µ

A

 h

FE

*DC Current Gain

: KSE44H 1,4,7,10
: KSE44H 2,5,8,11

 V

CE 

= 1V, I

C 

= 2A

35
60

 V

CE

(sat)

        
   

*Collector-Emitter Saturation Voltage

: KSE44H 1, 4, 7 10
: KSE44H 2, 5, 8,11

 I

C 

= 8A, I

B 

= 0.8A

 I

C 

= 8A, I

B 

= 0.4A

  1
  1

V
V

 V

BE

 (sat)

*Base-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= 8A, I

B 

= 0.8A

1.5

V

 f

T

 Current Gain Bandwidth Product

 V

CE 

= 10V, I

C 

= 0.5A

 50

MHz

 

C

ob

 Output  Capacitance

 V

CB 

= 10V, f = 1MHz

130

pF

 

t

ON

 Turn ON Time

 V

CC 

=20V, I

C 

= 5A

 I

B1

 = - I

B2

 = 0.5A

300

ns

 

t

STG

 Storage Time

500

ns

 

t

F

 Fall Time

140

ns

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V

CE

(sat) = 1V (Max.) @ 8A

• Fast Switching Speeds
• Complement to KSE45H

1.Base    2.Collector    3.Emitter

1

TO-220