Fairchild Semiconductor N/A TIP147TU Ficha De Dados

Códigos do produto
TIP147TU
Página de 5
TIP145 / TIP146 / TIP147 — PNP Ep
it
axial Silicon Darlington T
ransistor
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
  www.fairchildsemi.com
TIP145 / TIP146 / TIP147 Rev. B1
October 2009
TIP145 / TIP146 / TIP147
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Features
• Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors 
• High DC Current Gain : h
FE
 
= 1000 @ V
CE
 
= -4V, I
C
 = -5A  (Min.)
• Industrial Use
• Complement to TIP140/141/142
Absolute Maximum Ratings*  
T
A
 = 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Symbol
Parameter
Value
Units
 V
CBO
 Collector-Base Voltage     : TIP145
      : TIP146
      : TIP147
  - 60
  - 80
 - 100
V
V
V
 V
CEO
 Collector-Emitter Voltage  : TIP145
      : TIP146
      : TIP147
  - 60
  - 80
 - 100
V
V
V
 V
EBO
 Emitter-Base Voltage
   - 5
V
 I
C
 Collector Current (DC)
  - 10
A
 I
CP
 Collector Current (Pulse)
  - 15
A
 I
B
 Base Current (DC)
  - 0.5
A
 P
C
 Collector Dissipation (T
C
=25
°C)
  125
W
 T
J
 Junction Temperature
  150
°C
 T
STG
 Storage Temperature
- 65 to +150
°C
TO-3P
1
1.Base   2.Collector   3.Emitter
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
R1
8k
Ω
R2
0.12k
Ω