Техническая Спецификация для Fairchild Semiconductor N/A KSE45H11TU

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1, June 2001

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

* Pulse test: PW

≤

300

µ

s, Duty cycle

≤

2%

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage          : KSE45H 1,2

          : KSE45H 4,5
          : KSE45H 7,8
          : KSE45H 10,11

 - 30
 - 45
 - 60
 - 80

V
V
V
V

 V

EBO

 Emitter-Base Voltage

  - 5

V

 I

C

 Collector Current (DC)

 - 10

A

 I

CP

 *Collector Current (Pulse)

 - 20

A

 P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

  50

W

 P

C

 Collector Dissipation (T

a

=25

°

C)

1.67

W

 T

J

 Junction Temperature

 150

°

C

 T

STG

 Storage Temperature

- 55 ~ 150

°

C

 I

CES

 Collector Cut-off Current

 V

CE 

= Rated, V

CEO

, V

EB 

= 0

 -10

µ

A

 I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= - 5V, I

C 

= 0

-100

µ

A

 h

FE

*DC Current Gain

: KSE45H 1, 4, 7 10

                        : KSE45H 2, 5, 8,11

 
V

CE 

= - 1V, I

C 

= - 2A

35
60

 V

CE

(sat)

*Collector-Emitter Saturation Voltage

: KSE45H 1, 4, 7 10
: KSE45H 2, 5, 8,11

 I

C 

= - 8A, I

B 

= - 0.8A

 I

C 

= - 8A, I

B 

= - 0.4A

  -1
  -1

V
V

 V

BE

(sat)

*Base-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 8A, I

B 

= - 0.8A

-1.5

V

 f

T

 Current Gain Bandwidth Product

 V

CE 

= - 10V, I

C 

= - 0.5A

 40

MHz

 

C

ob

 Output  Capacitance

 V

CB 

= - 10V, f = 1MHz

230

pF

 

t

ON

 Turn ON Time

 V

CC 

=20V, I

C 

= - 5A

 I

B1

 = - I

B2

 = - 0.5A

135

ns

 

t

STG

 Storage Time

500

ns

 

t

F

 Fall Time

100

ns

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage: V

CE

(sat) = -1V (MAX)@-8A

• Fast Switching Speeds
• Complement to KSE44H

1.Base    2.Collector    3.Emitter

1

TO-220