ZTE Corporation ZM8300G Benutzerhandbuch

Seite von 53
                                                         
ZTE ZM8300G Module Hardware User Manual
 
<All rights reserved. No distribution without prior permission of ZTE.>                                                               
17 
Pin 
Signal 
Type 
Description 
Param
eter 
Minim
um 
Value 
(V) 
Typica
l Value 
(V) 
Maxim
um 
Value 
(V) 
Remarks 
50 
GND 
GND 
Grounding 
 
51 
GND 
GND 
Grounding 
 
52 
USB_DP 
AI/O 
USB2.0 differential signal 
DP 
90Ω 
53 
USB_DM 
AI/O 
USB2.0 differential signal 
DM 
90Ω 
54 
GND 
GND 
Grounding 
 
55 
USIM_DET 
DI 
Detection of the SIM card 
hot plugging function 
Select the card slot 
that supports the hot 
plugging function. 
56 
USIM_RESET 
DO 
SIM card reset signal 
Supporting 1.8 
V/2.85 V 
SIM card 
57 
USIM_DATA 
SIM card data signal 
58 
USIM_CLK 
DO 
SIM card clock signal 
T1 
JTAG_PS_HOLD 
Power setup holding 
signal 
Led out using a test 
point or connector 
T2 
JTAG_TDI 
TDI signal of the JTAG 
interface 
T3 
JTAG_TMS 
TMS signal of the JTAG 
interface 
T4 
JTAG_TDO 
TDO signal of the JTAG 
interface 
T5 
JTAG_TCK 
TCK signal of the JTAG 
interface 
T6 
JTAG_RESOUT_N 
JTAG debug rest output 
T7 
JTAG_TRST_N 
TRST signal of the JTAG 
interface 
G1 
PG1 
POWER PAD   
Geothermal pads 
G2 
PG2 
POWER PAD   
Table 3-2-2    Electrical characteristics of the IO interfaces 
Parameter 
Description 
Minimum 
Value 
Typical 
Value 
Maximum 
Value 
Unit 
VIH 
High-level input voltage 
 
0.65*Vio 
Vio+0.3 
VIL 
Low-level input voltage 
 
0.35*Vio 
VSHYS 
Schmitt hysteresis voltage   
 
15 
mV 
IL 
Input leakage current 
Vio=max, Vin=0V to Vio 
0.2 
uA 
VOH 
High-level output voltage 
Iout=Ioh 
Vio-0.45 
Vio 
VOL 
Low-level output voltage 
Iout=Iol 
1.45