Texas Instruments TPS61150A-150 Evaluation Board TPS61150AEVM-150 TPS61150AEVM-150 TPS61150AEVM-150 Datenbogen

VIN = 3.6V, SELx = VIN, Rset = 80k

Ω

, V

(IOUT)

= 15V, T

A

= –40

°

C to 85

°

C, typical values are at T

A

= 25

°

C (unless otherwise

noted)

V

I

Input voltage range

2.5

6.0

V

I

Q

Operating quiescent current into VIN

Device PWM switching no load

2

mA

I

SD

Shutdown current

SELx = GND, T

A

= 25

°

C

1.7

1.9

µ

A

SELx = GND

2.7

3

V

UVLO

Under-voltage lockout threshold

VIN falling

1.65

1.8

V

V

hys

Under-voltage lockout hysterisis

70

mV

V

(selh)

SEL logic high voltage

V

I

= 2.5V to 6V

1.2

V

V

(sell)

SEL logic low voltage

V

I

= 2.5V to 6V

0.4

V

R

(en)

SEL pull down resistor

300

700

k

Ω

t

(off)

SEL pulse width to disable

SELx high to low

40

ms

I

(ss)

IFB soft start current steps

16

t

(ss)

Soft start time step

Measured as clock divider

64

t

(ss_en)

Soft start enable time

Time between falling and rising of two adjacent

40

ms

SELx pulses

V

(ISET)

ISET pin voltage

1.204

1.229

1.254

V

K

ISET

Current multipler, I

fb1

/I

set1

, I

fb2

/I

set2

ISET current = 16.7

µ

A

883

920

957

ISET current = 1.2

µ

A

736

920

1104

K

M

Current matching, (2

×

|I

fb1

–I

fb2

|)/(I

fb1

+I

fb2

)

ISET current = 16.7

µ

A

0%

3%

ISET current = 1.2

µ

A

0%

20%

V

(IFB)

IFB regulation voltage

300

330

360

mV

V

hys(IFB_L)

IFB low threshold hysteresis

60

mV

t

I(sink)

Current sink settle time measured from

6

µ

s

SELx rising edge

(1)

I

lkg

IFB pin leakage current

IFB voltage = 25V

1

µ

A

R

DS(ON)

N-channel MOSFET on-resistance

V

IN

= V

GS

= 3.6V

0.6

0.9

Ω

I

lkg(N_NFET)

N-channel leakage current

V

DS

= 25V

1

µ

A

V

(F)

Power diode forward voltage

Diode current = 0.7A

0.83

1.0

V

Dual output, IOUT= 15V, Duty cycle = 76%

0.75

1.0

1.25

I

L

N-Channel MOSFET current limit

A

Single output , IOUT= 15V, Duty cycle = 76%

0.40

0.55

0.7

I

(IFB_MAX)

Current sink max output current

IFB current = 330mV

34

mA

V

ovp

Overvoltage threshold

27

28

29

V

V

ovp_hys

Overvoltage hysteresis

550

mV

F

S

Oscillator frequency

1.0

1.2

1.5

MHz

D

max

Maximum duty cycle

Feedback voltage = 1.0V

89%

93%

T

shutdown

Thermal shutdown threshold

160

°

C

T

hys

Thermal shutdown threshold hysteresis

15

°

C

(1)

This specification determines the minimum on time required for PWM dimming for desirable linearity. The maximum PWM dimming
frequency can be calculated from the minimum duty cycle required in the application.

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