Texas Instruments TPS61166-446 Evaluation Board TPS61166EVM-446 TPS61166EVM-446 TPS61166EVM-446 Datenbogen

Produktcode
TPS61166EVM-446
Seite von 23
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SLVS991 – SEPTEMBER 2009
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www.ti.com
VIN=3.6V, EN=VIN, T
A
= –40°C to 85°C, typical values are at T
A
= 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
SUPPLY CURRENT
V
IN
IC input voltage range, VIN
2.5
6
V
V
BAT
Battery input voltage range, VBAT
4.5
10
V
I
Q
Operating quiescent current into VIN
Device PWM switching no load
0.9
1.5
mA
I
SD
Shutdown current
EN = GND, VIN = 6 V
1
µ
A
UVLO
Undervoltage lockout threshold
VIN falling
1.5
1.55
V
V
hys
Undervoltage lockout hysterisis
50
mV
ENABLE AND PWM CONTROL
V
ENH
EN and PWM logic high voltage
VIN = 2.5 V to 6 V
1.2
V
V
ENL
En and PWM logic low voltage
VIN = 2.5 V to 6 V
0.3
V
R
EN
EN and PWM pull down resistor
400
800
1600
k
Ω
T
off
EN pulse width to shutdown
EN high to low
1
ms
VOLTAGE CONTROL
V
REF
Voltage feedback regulation voltage
194
200
206
mV
I
FB
Voltage feedback input bias current
200
nA
f
S
Oscillator frequency
1.0
1.2
1.4
MHz
D
max
Maximum duty cycle
V
FB
= 0.1 V, T
A
= 85°C
90%
93%
T
min_on
Minimum on pulse width
65
ns
POWER SWITCH, ISOLATION FET
R
DS(ON)N
N-channel MOSFET on-resistance
VIN = 3 V
0.25
0.4
Ω
R
DS(ON)iso
Isolation FET on-resistance
VO = 5 V
2.5
4
Ω
VO = 3.5 V
4.5
I
LN_N
N-channel leakage current
V
DS
= 20 V, T
A
= 25°C
1
µ
A
I
LN_iso
Isolation FET leakage current
V
DS
= 20 V, T
A
= 25°C
1
µ
A
V
F
Power diode forward voltage
Current = 500 mA
0.8
V
OC, ILIM, OVP SC AND SS
I
LIM
N-Channel MOSFET current limit
0.9
1.1
1.5
A
V
ovp
Over voltage protection threshold
Measured on the VO pin
18
19
V
V
ovp_hys
Over voltage protection hysteresis
0.6
V
I
OL
Over load protection
200
300
mA
THERMAL SHUTDOWN
T
shutdown
Thermal shutdown threshold
150
°C
T
hysteresis
Thermal shutdown hysteresis
15
°C
4
Copyright © 2009, Texas Instruments Incorporated
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