Texas Instruments THS4511EVM Evaluation Module THS4511EVM THS4511EVM Datenbogen

SLOS471E – SEPTEMBER 2005 – REVISED NOVEMBER 2009

This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with
appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.

ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may be more
susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published specifications.

Over operating free-air temperature range, unless otherwise noted.

V

SS

Supply

V

S–

to V

S+

5.5 V

voltage

V

I

Input voltage

±V

S

V

ID

Differential input voltage

4 V

I

O

Output current

200 mA

Continuous power dissipation

See

Table

T

J

Maximum junction temperature

(2)

+150°C

T

J

Maximum junction temperature, continuous operation, long term reliability

(3)

+125°C

T

A

Operating free-air temperature range

–40°C to +85°C

T

STG

Storage temperature range

–65°C to +150°C

HBM

2000 V

ESD ratings

CDM

1500 V

MM

100 V

(1)

Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may
degrade device reliability. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond
those specified is not implied.

(2)

The absolute maximum temperature under any condition is limited by the constraints of the silicon process.

(3)

The maximum junction temperature for continuous operation is limited by the package constraints. Operation above this temperature
may result in reduced reliability and/or lifetime of the device. The THS4511 incorporates a (QFN) exposed thermal pad on the underside
of the chip. This acts as a heatsink and must be connected to a thermally-dissipative plane for proper power dissipation. Failure to do so
may result in exceeding the maximum junction temperature which could permanently damage the device. See TI technical brief

and

for more information about using the QFN thermally-enhanced package.

RGT (16)

2.4°C/W

39.5°C/W

2.3 W

225 mW

(1)

For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI
web site at

2

Copyright © 2005–2009, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Link(s):