Texas Instruments DRV601EVM - DRV601 Evaluation Module DRV601EVM DRV601EVM Datenbogen

Produktcode
DRV601EVM
Seite von 24
www.ti.com
6.4
THD+N vs Frequency
20
20k
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
f - Frequency - Hz
0.001
10
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
THD+N-T
otalHarmonicDistortionPlusNoise-%
2 Vrms 600 W
2 Vrms 100 kW
20
20k
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
f - Frequency - Hz
0.001
10
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
THD+N-T
otalHarmonicDistortionPlusNoise-%
X7R 1 F, 16 V, 0805
m
X7R 1 F, 50 V, 1206
m
1 F film
m
DRV601EVM Performance
Figure 12. THD+N vs Frequency (600-
Ω
Load)
The DRV601EVM uses a 1-
µ
F film capacitor for ac-coupling of the input signal. If a lower cost ceramic
capacitor, like a X7R is used, higher THD at low frequencies should be expected. Y5V capacitors show
even higher THD and cannot be recommended at all.
Figure 13. THD+N vs Frequency (600-
Ω
Load) Using X7R Input Capacitors
The X7R capacitors raise the 20-Hz THD from 0.003% to 0.04% or 0.07–20 times higher. If the cost
requirements for the system demand that an inexpensive capacitor is used, then select the X7R capacitor
with the highest voltage rating, as seen from the figure a 50-V X7R 1206 capacitor has 2x lower THD than
a 16-V X7R 0805 capacitor.
DRV601EVM
12
SLOU215 – January 2008