Texas Instruments 180 to 100 Pin DIMM Adapter TMDSADAP180TO100 TMDSADAP180TO100 Datenbogen

Produktcode
TMDSADAP180TO100
Seite von 253
SPRS825C – OCTOBER 2012 – REVISED FEBRUARY 2014
Table 6-36. STANDBY Mode Timing Requirements
MIN
MAX
UNIT
Without input qualification
3t
c(OSCCLK)
Pulse duration, external
t
w(WAKE-INT)
cycles
wake-up signal
With input qualification
(1)
(2 + QUALSTDBY) * t
c(OSCCLK)
(1)
QUALSTDBY is a 6-bit field in the LPMCR0 register.
Table 6-37. STANDBY Mode Switching Characteristics
over recommended operating conditions (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Delay time, IDLE instruction executed
t
d(IDLE-XCOL)
32t
c(SCO)
45t
c(SCO)
cycles
to XCLKOUT low
Delay time, external wake signal to
t
d(WAKE-STBY)
cycles
program execution resume
(1)
Without input qualifier
100t
c(SCO)
Wake up from flash
cycles
Flash module in active state
With input qualifier
100t
c(SCO)
+ t
w(WAKE-INT)
Without input qualifier
1125t
c(SCO)
Wake up from flash
cycles
Flash module in sleep state
With input qualifier
1125t
c(SCO)
+ t
w(WAKE-INT)
Without input qualifier
100t
c(SCO)
cycles
Wake up from SARAM
With input qualifier
100t
c(SCO)
+ t
w(WAKE-INT)
(1)
This is the time taken to begin execution of the instruction that immediately follows the IDLE instruction. execution of an ISR (triggered
by the wake up signal) involves additional latency.
Copyright © 2012–2014, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
149
Product Folder Links: