Texas Instruments 36V, 2A PowerWise® Adjustable Frequency Synchronous Buck Regulator Evaluation Module LM20242EVAL/NOPB LM20242EVAL/NOPB Datenbogen

SNVS534E – OCTOBER 2007 – REVISED MARCH 2013

These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

VIN to GND

-0.3V to +38V

BOOT to GND

-0.3V to +43V

BOOT to SW

-0.3V to +7V

SW to GND

-0.5V to +38V

SW to GND (Transient)

-1.5V (< 20 ns)

FB, EN, SS/TRK, PGOOD to GND

-0.3V to +6V

VCC to GND

-0.3V to +8V

Storage Temperature

-65°C to 150°C

ESD Rating

Human Body Model

(2)

2kV

(1)

Absolute Maximum Ratings indicate limits beyond witch damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for
which the device is intended to be functional, but do not ensure specific performance limits. For ensured specifications and test
conditions, see the

(2)

The human body model is a 100 pF capacitor discharged through a 1.5 k

Ω

resistor to each pin.

VIN to GND

+4.5V to +36V

Junction Temperature

−

40°C to + 125°C

Unless otherwise stated, the following conditions apply: V

VIN

= 12V. Limits in standard type are for T

J

= 25°C only, limits in

bold face type apply over the junction temperature (T

J

) range of -40°C to +125°C. Minimum and Maximum limits are

specified through test, design, or statistical correlation. Typical values represent the most likely parametric norm at T

J

= 25°C,

and are provided for reference purposes only.

V

FB

Feedback pin voltage

V

VIN

= 4.5V to 36V

0.8

V

V

COMP

= 500 mV to 700 mV

R

HSW-DS(ON)

High-Side MOSFET On-Resistance

I

SW

= 200 mA

130

m

Ω

R

LSW-DS(ON)

Low-Side MOSFET On-Resistance

I

SW

= 200 mA

110

m

Ω

I

Q

Operating Quiescent Current

V

VIN

= 4.5V to 36V

2

mA

I

SD

Shutdown Quiescent current

V

EN

= 0V

150

µA

V

UVLO

VIN Under Voltage Lockout

Rising V

VIN

3.9

V

V

UVLO(HYS)

VIN Under Voltage Lockout Hysteresis

200

mV

V

VCC

VCC Voltage

I

VCC

= -5 mA, V

EN

= 5V

5.5

V

I

SS

Soft-Start Pin Source Current

V

SS

= 0V

5

µA

I

BOOT

BOOT Diode Leakage

V

BOOT

= 4V

10

nA

V

F-BOOT

BOOT Diode Forward Voltage

I

BOOT

= -100 mA

0.9

V

V

FB(OVP)

Over Voltage Protection Rising Threshold

V

FB(OVP)

/ V

FB

110

%

V

FB(OVP-HYS)

Over Voltage Protection Hysteresis

Δ

VFB(OVP)

/ V

FB

2

%

V

FB(PG)

PGOOD Rising Threshold

V

FB(PG)

/ V

FB

95

%

V

FB(PG-HYS)

PGOOD Hysteresis

Δ

VFB(PG)

/ V

FB

2

%

T

PGOOD

PGOOD delay

20

µs

I

PGOOD(SNK)

PGOOD Low Sink Current

V

PGOOD

= 0.5V

1

mA

I

PGOOD(SRC)

PGOOD High Leakage Current

V

PGOOD

= 5V

5

nA

Copyright © 2007–2013, Texas Instruments Incorporated

3

Product Folder Links: