Texas Instruments BQ2419X I²C Controlled 4.5A Single Cell USB / Adaptor Charger Evaluation Module BQ24195LEVM-193 BQ24195LEVM-193 Datenbogen

SLUSB97 – OCTOBER 2012

PGND

17,18

P

Power ground connection for high-current power converter node. Internally, PGND is connected to the source of the n-
channel LSFET. On PCB layout, connect directly to ground connection of input and output capacitors of the charger. A
single point connection is recommended between power PGND and the analog GND near the IC PGND pin.

SW

19,20

O

Switching node connecting to output inductor. Internally SW is connected to the source of the n-channel HSFET and the
drain of the n-channel LSFET. Connect the 0.047µF bootstrap capacitor from SW to BTST.

Analog

BTST

21

P

PWM high side driver positive supply. Internally, the BTST is connected to the anode of the boost-strap diode. Connect
the 0.047µF bootstrap capacitor from SW to BTST.

REGN

22

P

PWM low side driver positive supply output. Internally, REGN is connected to the cathode of the boost-strap diode. For
VBUS above 6V, connect 1-µF ceramic capacitor from REGN to analog GND. For VBUS below 6V, connect a 4.7-

μ

F

(10V rating) ceramic capacitor from REGN to analog GND. The capacitor should be placed close to the IC. REGN also
serves as bias rail of TS1 and TS2 pins.

PMID

23

P

Battery Boost Mode Output Voltage. Connected to the drain of the reverse blocking MOSFET and the drain of HSFET.
The minimum capactiance required on PMID to PGND is 20uF (bq24195L) or 60uF (bq24195)

PowerPAD

–

P

Exposed pad beneath the IC for heat dissipation. Always solder PowerPAD™ to the board, and have vias on the Power
Pad plane star-connecting to PGND and ground plane for high-current power converter.

VBUS

–2 V – 20 V

PMID, STAT,

–0.3 V –20 V

BTST

–0.3 V – 26 V

SW

–2 V – 20 V

Voltage range (with respect to GND)

BAT, SYS (converter not switching)

–0.3 V – 6 V

SDA, SCL, INT, OTG, ILIM, REGN, TS1, TS2, CE, D+, D–

–0.3 V – 7 V

BTST TO SW

–0.3 V – 7 V

PGND to GND

–0.3 V – 0.3 V

Output sink current

INT, STAT

6mA

Junction temperature

–40°C to 150°C

Storage temperature

–65°C to 150°C

V

IN

Input voltage

3.9

17

(1)

V

I

IN

Input current

3

A

I

SYS

Output current (SYS)

4.5 (bq24195)

A

2.5 (bq24195L)

V

BAT

Battery voltage

4.4

V

Fast charging current

4.5 (bq24195)

A

2.5 (bq24195L)

I

BAT

6 continuous

Discharging current with internal MOSFET

9 peak

A

(up to 1 sec duration)

T

A

Operating free-air temperature range

–40

85

°C

(1)

The inherent switching noise voltage spikes should not exceed the absolute maximum rating on either the BTST or SW pins. A tight
layout minimizes switching noise.

6

Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: