Texas Instruments Evaluation Module for UCC29910A UCC29910AEVM-730 UCC29910AEVM-730 Datenbogen

Produktcode
UCC29910AEVM-730
Seite von 21
List of Materials
9
List of Materials
Table 3. The EVM Components List (according to the schematic shown in )
REF DES
QTY
DESCRIPTION
PART NUMBER
MFR
C1
1
Capacitor, metallized polyester film, 275 V
AC
, 20%, 330 nF
ECQ-U2A334ML
Panasonic
C10
1
Capacitor, ceramic, 630 V, 20%, 1206, 220 pF
std
std
C11
1
Capacitor, ceramic, 16 V, X7R,
±
10%, 0805, 100 nF
std
std
C12, C15,
3
Capacitor, ceramic, 16 V, X7R,
±
10%, 0805, 10 nF
std
std
C22
C14, C17
2
Capacitor, ceramic, 100 V,
±
10%, 1206, 1
µ
F
std
std
C18
1
Capacitor, ceramic, 16 V, X7R,
±
10%, 0805, 2.2 nF
std
std
C19, C20
2
Capacitor, aluminum, 100 V, 20%, 470
µ
F
EEU-FC2A471
Panasonic
C2
1
Capacitor, ceramic, 25 V, X7R, 20%, 47
µ
F
CKG57NX5R1E476M
TDK
C21
1
Capacitor, aluminum, 16 V, 20%, 100
µ
F
ECA1CM101
Panasonic
C23
1
Capacitor, ceramic, 50 V, X7R,
±
10%, 0805, 100 nF
std
std
C3,
3
Capacitor, ceramic, 16 V, X7R,
±
10%, 0805, 1
µ
F
std
std
C4,C13
C5
1
Capacitor, metallized polyproplene film, 450 V
DC
, 20%,
ECW-F2W274JAQ
Panasonic
0.27
µ
F
C6
1
Capacitor, metallized polyester film, 450 V
DC
, 20%, 1.2
µ
F
ECW-F2W125JA
Panasonic
C7
1
Capacitor, ceramic, 16 V, X7R,
±
10%, 0805, 0.47
µ
F
std
std
C8, C9,
3
Capacitor, ceramic, 630 V, 20%, 1206, 10 nF
std
std
C16
D1, D7
2
Diode, switching, 150 mA, 75 V, 350 mW
BAS16
Onsemi
D2
1
Diode, super fast rectifier, 200 V, 1.0 A
ES1D
Fairchild
D3
1
Diode, Zener, 10 V, 20 mA, 225 mW, 5%, 10 V
BZX84C10LT1G
Onsemi
D4
1
Diode, Zener, 12 V, 20 mA, 225 mW, 5%, 12 V
BZX84C12LT1G
Onsemi
D5
1
Diode, bridge, 6 A, 600 V,
GBU6J
Vishay
D6
1
DIODE, hyperfast 6 A, 600 V
RHRD660S
Fairchild
D8
1
Adjustable precision shunt regulator, 0.5%
TLV431BQDBZT
TI
D9
1
Diode, Zener, 10 V, 20 mA, 225 mW, 5%, 15 V
BZX84C15LT1G
Onsemi
F1
1
Fuse, 3.15 A, 250 V, Slo-Blo, cartridge, 3.15 A
0213 002.
Littlefuse
J1, J3
2
Terminal block, 2 pin, 15 A, 5.1 mm,
ED500/2DS
OST
J2
1
Header, male 2-pin, 100mil spacing,
PEC02SAAN
Sullins
L1
1
Inductor,
±
3% at 100 kHz, 5 mH
750311982
WE
L2, L3
2
Inductor,
±
10% at 100 kHz, 103
µ
H
750311983
WE
L4
1
Transformer,
±
15%, 88
µ
H
750311885
WE
Q1
1
MOSFET, N-channel, 600 V, 7 mA
BSS126
Infineon
Q2, Q3,
4
MOSFET, N-channel, 100 V, 0.17 A
BSS123
Fairchild
Q4, Q8
Q5
1
MOSFET, N-channel, 650 V, 16 A, 0.199
Ω
IPB60R199CP
Infineon
Q6
1
Bipolar, NPN, 40 V
CEO
, 600 mA, 350 mW
MMBT2222AK
Fairchild
Q7
1
Transistor, PNP, -500 V
CEO
, -5 V
EBO
, 50 mA
FMMT560
Zetex
18
Buck PFC Pre-Regulator in Power Factor Correction Applications
SLUU505A
May 2011
Revised October 2011
Copyright
©
2011, Texas Instruments Incorporated