Manualsbrain.com
  1. Handbücher
  2. Marken
  3. Texas Instruments
  4. IC MCU 16B MSP430F2410TPM LQFP-64 TID
  5. Datenbogen

Texas Instruments IC MCU 16B MSP430F2410TPM LQFP-64 TID MSP430F2410TPM Datenbogen

Produktcode
MSP430F2410TPM
Download
Seite von 92
MSP430F23x
MSP430F24x(1)
MSP430F2410
SLAS547I – JUNE 2007 – REVISED DECEMBER 2012
12-Bit ADC, Timing Parameters
over recommended operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
V
CC
MIN
NOM
MAX UNIT
For specified performance of ADC12
f
ADC12CLK
2.2 V, 3 V
0.45
5
6.3
MHz
linearity parameters
ADC12DIV = 0,
f
ADC12OSC
Internal ADC12 oscillator
2.2 V, 3 V
3.7
5
6.3
MHz
f
ADC12CLK
= f
ADC12OSC
C
VREF+
≥
5 µF, Internal oscillator,
2.2 V, 3 V
2.06
3.51
µs
f
ADC12OSC
= 3.7 MHz to 6.3 MHz
t
CONVERT
Conversion time
External f
ADC12CLK
from ACLK, MCLK,
13 ×
or SMCLK,
ADC12DIV ×
µs
ADC12SSEL
≉
0
1/f
ADC12CLK
Turn-on settling time of the
t
ADC12ON
See
(2)
100
ns
ADC
(1)
3 V
1220
R
S
= 400
Ω
,R
I
= 1000
Ω
, C
I
= 30 pF,
t
Sample
Sampling time
(1)
ns
τ
= [R
S
+R
I
] × C
I
(3)
2.2 V
1400
(1)
Limits verified by design
(2)
The condition is that the error in a conversion started after t
ADC12ON
is less than ±0.5 LSB. The reference and input signal are already
settled.
(3)
Approximately ten Tau (
τ
) are needed to get an error of less than ±0.5 LSB:
t
Sample
= ln(2
n+1
) × (R
S
+ R
I
) × C
I
+ 800 ns, where n = ADC resolution = 12, R
S
= external source resistance
12-Bit ADC, Linearity Parameters
over recommended operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
V
CC
MIN
NOM
MAX
UNIT
1.4 V
≤
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
) min
≤
1.6 V
±2
Integral linearity
E
I
2.2 V, 3 V
LSB
error
1.6 V < (V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
) min
≤
V
AVCC
±1.7
Differential linearity (V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
) min
≤
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
),
E
D
2.2 V, 3 V
±1
LSB
error
C
VREF+
= 10 µF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
) min
≤
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
),
E
O
Offset error
Internal impedance of source RS < 100
Ω
,
2.2 V, 3 V
±2
±4
LSB
C
VREF+
= 10 µF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
)min
≤
(V
eREF+
– V
REF–
/V
eREF–
),
E
G
Gain error
2.2 V, 3 V
±1.1
±2
LSB
C
VREF+
= 10 µF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
Total unadjusted
(V
eREF+
-– V
REF–
/V
eREF–
)min
≤
(V
eREF+
–V
REF–
/V
eREF–
),
E
T
2.2 V, 3 V
±2
±5
LSB
error
C
VREF+
= 10 µF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
64
Copyright © 2007–2012, Texas Instruments Incorporated