Texas Instruments IC MCU 16B MSP430F2111IRGET VQFN-24 TID MSP430F2111IRGET Datenbogen

SLAS439F

–

SEPTEMBER 2004

–

REVISED AUGUST 2011

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

CC (PGM/ERASE)

Program and erase supply voltage

2.2

3.6

V

f

FTG

Flash timing generator frequency

257

476

kHz

I

PGM

Supply current from V

CC

during program

2.2 V/3.6 V

3

5

mA

I

ERASE

Supply current from V

CC

during erase

2.2 V/3.6 V

3

7

mA

t

CPT

Cumulative program time

(1)

2.2 V/3.6 V

10

ms

t

CMErase

Cumulative mass erase time

2.2 V/3.6 V

20

ms

Program/erase endurance

10

4

10

5

cycles

t

Retention

Data retention duration

T

J

= 25

°

C

100

years

t

Word

Word or byte program time

See

(2)

30

t

FTG

t

Block, 0

Block program time for first byte or word

See

(2)

25

t

FTG

Block program time for each additional

t

Block, 1-63

See

(2)

18

t

FTG

byte or word

t

Block, End

Block program end-sequence wait time

See

(2)

6

t

FTG

t

Mass Erase

Mass erase time

See

(2)

10593

t

FTG

t

Seg Erase

Segment erase time

See

(2)

4819

t

FTG

(1)

The cumulative program time must not be exceeded when writing to a 64-byte flash block. This parameter applies to all programming
methods: individual word/byte write and block write modes.

(2)

These values are hardwired into the flash controller

'

s state machine (t

FTG

= 1/f

FTG

).

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

(RAMh)

RAM retention supply voltage

(1)

CPU halted

1.6

V

(1)

This parameter defines the minimum supply voltage V

CC

when the data in RAM remains unchanged. No program execution should

happen during this supply voltage condition.

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

2.2 V

0

5

MHz

f

TCK

TCK input frequency

(1)

3 V

0

10

MHz

R

Internal

Internal pulldown resistance on TEST

2.2 V/3 V

25

60

90

k

Ω

(1)

f

TCK

may be restricted to meet the timing requirements of the module selected.

over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)

V

CC(FB)

Supply voltage during fuse-blow condition

25

°

C

2.5

V

V

FB

Voltage level on TEST for fuse blow

25

°

C

6

7

V

I

FB

Supply current into TEST during fuse blow

25

°

C

100

mA

t

FB

Time to blow fuse

25

°

C

1

ms

(1)

Once the fuse is blown, no further access to the JTAG/Test and emulation features is possible, and the JTAG block is switched to
bypass mode.

Copyright

©

2004

–

2011, Texas Instruments Incorporated

33