Texas Instruments Hercules TMS570LS04x/03x LaunchPad Evaluation Kit LAUNCHXL-TMS57004 LAUNCHXL-TMS57004 Datenbogen

Produktcode
LAUNCHXL-TMS57004
Seite von 106
SPNS186A – OCTOBER 2012 – REVISED SEPTEMBER 2013
4.10 Flash Program and Erase Timings for Program Flash
Table 4-20. Timing Specifications for Program Flash
Parameter
MIN
NOM
MAX
Unit
t
prog
(144bit)
Wide Word (144bit) programming time
40
300
µs
t
prog
(Total)
384KByte programming time
(1)
-40°C to 125°C
4
s
0°C to 60°C, for first
1
2
s
25 cycles
t
erase
Sector/Bank erase time
(2)
-40°C to 125°C
0.30
4
s
0°C to 60°C, for first
16
100
ms
25 cycles
t
wec
Write/erase cycles with 15 year Data Retention
-40°C to 125°C
1000
cycles
requirement
(1)
This programming time includes overhead of state machine, but does not include data transfer time. The programming time assumes
programming 144 bits at a time at the maximum specified operating frequency.
(2)
During bank erase, the selected sectors are erased simultaneously. The time to erase the bank is specified as equal to the time to erase
a sector.
4.11 Flash Program and Erase Timings for Data Flash
Table 4-21. Timing Specifications for Data Flash
Parameter
MIN
NOM
MAX
Unit
t
prog
(72 bit)
Wide Word (72bit) programming time
40
300
µs
t
prog
(Total)
16KByte programming time
(1)
-40°C to 125°C
330
ms
0°C to 60°C, for first
85
165
ms
25 cycles
t
erase
Sector/Bank erase time
(2)
-40°C to 125°C
0.200
8
s
0°C to 60°C, for first
14
100
ms
25 cycles
t
wec
Write/erase cycles with 15 year Data Retention
-40°C to 125°C
100000
cycles
requirement
(1)
This programming time includes overhead of state machine, but does not include data transfer time. The programming time assumes
programming 144 bits at a time at the maximum specified operating frequency.
(2)
During bank erase, the selected sectors are erased simultaneously. The time to erase the bank is specified as equal to the time to erase
a sector.
Copyright © 2012–2013, Texas Instruments Incorporated
System Information and Electrical Specifications
49
Product Folder Links: