Diotec N/A BC 559 C PNP Case type TO 92 I(C) 0.2 A BC559C Datenbogen

BC556 ... BC559

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

- V

CE

  = 80 V, (B-E short)

- V

CE

  = 50 V, (B-E short)

- V

CE

  = 30 V, (B-E short)

BC546

BC547

BC548 / BC549

- I

CES

- I

CES

- I

CES

–

–

–

0.2 nA

0.2 nA

0.2 nA

15 nA

15 nA

15 nA

- V

CE

 = 80 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

- V

CE

 = 50 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

- V

CE

 = 30 V, T

j

 = 125°C, (B-E short)

BC546

BC547

BC548 / BC549

- I

CES

- I

CES

- I

CES

–

–

–

–

–

–

4 µA

4 µA

4 µA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg 

2

)

- I

C

 = 10 mA, - I

B

 = 0.5 mA

- I

C

 = 100 mA, - I

B

 = 5 mA

- V

CEsat

- V

CEsat

–

–

80 mV

250 mV

300 mV

650 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 

2

)

- I

C

 = 10 mA, - I

B

 = 0.5 mA

- I

C

 = 100 mA, - I

B

 = 5 mA

- V

BEsat

- V

BEsat

–

–

700 mV

900 mV

–

–

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 

2

)

- V

CE

 = 5 V, - I

C

 = 2 mA

- V

CE

 = 5 V, - I

C

 = 10 mA

- V

BE

- V

BE

600 mV

–

660 mV

–

750 mV

800 mV

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- V

CE

 = 5 V, - I

C

 = 10 mA, f = 100 MHz 

f

T

–

150 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- V

CB

 = 10 V, I

E

 =ie = 0, f = 1 MHz

C

CBO

–

3.5 pF

6 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

- V

EB

 = 0.5 V, I

C

 = i

c

 = 0, f = 1 MHz 

C

EB0

–

10 pF

–

Noise figure – Rauschzahl

- V

CE

 = 5 V, - I

C

 = 200 µA, R

G

 = 2 kΩ

f = 1 kHz, Δf = 200 Hz 

BC556 ... BC558

BC559

F

F

–

–

2 dB

1 dB

10 dB

4 dB

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

< 200 K/W 

1

)

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BC546 ... BC549

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC556A

BC557A

BC558A

BC556B

BC557B

BC558B

BC559B

BC557C

BC558C

BC559C

2

Tested with pulses t

p 

= 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen t

p

 = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG