Fairchild Semiconductor N/A KSE13003TH1ATU Datenbogen

© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation

  www.fairchildsemi.com

KSE13003 Rev. 1.0.0

1 

March 2008

• High Voltage Capability
• High Speed Switching
• Suitable for Switching Regulator and Motor Control

T

C

 = 25°C unless otherwise noted

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES_1:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150

°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

* Test on V

CE 

= 2V, I

C 

= 0.5A.

V

CBO

Collector-Base Voltage

700

V

V

CEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

V

EBO

Emitter-Base Voltage

9

V

I

C

Collector Current (DC)

1.5

A

I

CP

Collector Current (Pulse)

3

A

I

B

Base Current

0.75

A

P

C

Collector Dissipation (T

C

 = 25

°C)

20

W

T

J

Junction Temperature

150

°C

T

STG

Storage Temperature Range

-65 ~ 150

°C

h

FE

*

9 ~ 16

14~ 21

19 ~ 26

1

TO-126

1. Emitter    2.Collector    3.Base