Fairchild Semiconductor N/A TIP122TU Datenbogen

Produktcode
TIP122TU
Seite von 5
T
IP
1
20
/T
IP
1
21
/T
IP
1
22
 —
 N
P
N
 E
p
ita
xia
l D
a
rli
n
g
to
n
 T
ra
n
s
is
to
r
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
  www.fairchildsemi.com
TIP120/TIP121/TIP122 Rev. 1.0.0
October 2008
TIP120/TIP121/TIP122
NPN Epitaxial Darlington Transistor
• Medium Power Linear Switching Applications
• Complementary to TIP125/126/127
Absolute Maximum Ratings*  
T
a
 = 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
CBO
 Collector-Base Voltage     : TIP120
  : TIP121
  : TIP122
60
80
100
V
V
V
V
CEO
 Collector-Emitter Voltage  : TIP120
  : TIP121
  : TIP122
60
80
100
V
V
V
V
EBO
 Emitter-Base Voltage
5
V
I
C
 Collector Current (DC)
5
A
I
CP
 Collector Current (Pulse)
8
A
I
B
 Base Current (DC)
120
mA
P
C
 Collector Dissipation (T
a
=25
°C)
2
W
 Collector Dissipation (T
C
=25
°C)
65
W
T
J
 Junction Temperature
150
°C
T
STG
 Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
1.Base    2.Collector    3.Emitter
1
TO-220
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
R1
8k
W
@
R2
0.12k
W
@