Fairchild Semiconductor N/A PZTA42 Datenbogen

Produktcode
PZTA42
Seite von 5
MPSA42
 / MMBT
A
42 / 
PZT
A42 — 
NPN 
High V
o
lt
age
 Amplifier
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
  www.fairchildsemi.com
MPSA42 / MMBTA42 / PZTA42 Rev. B2
October 2009
MPSA42 / MMBTA42 / PZTA42
NPN High Voltage Amplifier
Features
• This device is designed for application as a video output to drive color CRT and other high voltage applications. 
• Sourced from Process 48.
Absolute Maximum Ratings*  
T
A
 = 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
operations.
Thermal Characteristics  
T
A
=25
°C unless otherwise noted
*  Device mounted on FR-4PCB 1.6” 
× 1.6” × 0.06”.
** Device mounted on FR-4 PCB 36 mm 
× 18 mm × 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
300
V
V
CBO
Collector-Base Voltage
300
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
6
V
I
C
Collector Current        - Continuous
500
mA
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Parameter
Max
Units
MPSA42
*MMBTA42
**PZTA42
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
240
1.92
1000
8.0
mW
mW/
°C
R
θJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
R
θJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
515
125
°C/W
SOT-23
B
E
C
Mark: 1D
TO-92
 
 
B
  
C
  
E
SOT-223
C
  
   
MPSA42                            MMBTA42                            PZTA42
E  B  C