Diotec BC857C Bipolar Transistor Emitter reverse voltage U(CEO) 45 V BC857C Datenbogen

Produktcode
BC857C
Seite von 2
BC856 ... BC860
BC856 ... BC860
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
PNP
Version 2008-04-15
Dimensions - Maße [mm]
1 = B       2 = E       3 = C
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
 = 25°C)
Grenzwerte (T
A
 = 25°C)
BC856
BC857
BC860
BC858
BC859
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- V
CEO
80 V
50 V
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
- V
CBO
65 V
45 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
- V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
P
tot
250 mW 
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
- I
CM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
 = 25°C)
Kennwerte (T
j
 = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
 = 5 V, - I
C
 = 10 µA
Group A
Group B
Group C
h
FE
h
FE
h
FE
90
150
270
- V
CE
 = 5 V, - I
C
 = 2 mA
Group A
Group B
Group C
h
FE
h
FE
h
FE
125
220
420
180
290
520
250
475
800
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0.5 mA
I
C
 = 100 mA, I
B
 = 5 mA
- V
CEsat
- V
CEsat
300 mV
650 mV
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 
2
)
I
C
 = 10 mA, I
B
 = 0.5 mA
I
C
 = 100 mA, I
B
 = 5 mA
- V
BEsat
- V
BEsat
700 mV
900 mV
1
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses t
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%  –  Gemessen mit Impulsen t
p
 = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1 
0.4 
2.9
 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9