Fairchild Semiconductor N/A BD13816STU Datenbogen

©2000 Fairchild Semiconductor International

Rev. A, February 2000

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

T

C

=25

°

C unless otherwise noted

* Pulse Test: PW=350

µ

s, duty Cycle=2% Pulsed

 V

CBO

 Collector-Base Voltage                       : BD136

                    : BD138
                    : BD140

 - 45
 - 60
 - 80

V
V
V

 V

CEO

 Collector-Emitter Voltage                    : BD136

                     : BD138
                     : BD140

 - 45
 - 60
 - 80

V
V
V

  

V

EBO

 Emitter-Base Voltage

  - 5

V

 

 I

C

 Collector Current (DC)

- 1.5

A

 

 I

CP

 Collector Current (Pulse)

- 3.0

A

  

I

B

 Base Current

- 0.5

A

  

P

C

 Collector Dissipation (T

C

=25

°

C)

12.5

W

  P

C

 Collector Dissipation (T

a

=25

°

C)

1.25

W

  T

J

 Junction Temperature

 150

°

C

  T

STG

 Storage Temperature

- 55 ~ 150

°

C

V

CEO

(sus)

* Collector-Emitter Sustaining Voltage

: BD136
: BD138
: BD140

 I

C 

= - 30mA, I

B 

= 0

- 45
- 60
- 80

V
V
V

 I

CBO

 Collector Cut-off Current

 V

CB 

= - 30V, I

E 

= 0

- 0.1

µ

A

 I

EBO

 Emitter Cut-off Current

 V

EB 

= - 5V, I

C 

= 0

 - 10

µ

A

 h

FE1

 h

FE2

 h

FE3

* DC Current Gain       

 V

CE 

= - 2V, I

C 

= - 5mA

 V

CE 

= - 2V, I

C 

= - 0.5A

 V

CE 

= - 2V, I

C 

= - 150mA

 25
 25
 40 

 250

 V

CE

(sat)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

 I

C 

= - 500mA, I

B 

= - 50mA

- 0.5

V

 V

BE

(on)

* Base-Emitter ON Voltage

 V

CE 

= - 2V, I

C 

= - 0.5A

 - 1

V

Classification

6

10

16

h

FE3

40 ~ 100

63 ~ 160

100 ~ 250

• Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively

1

TO-126

1. Emitter    2.Collector    3.Base