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Fairchild Semiconductor N/A MJE182STU Datenbogen

Produktcode
MJE182STU
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Seite von 4
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001
MJE
180/
181/
182
NPN Epitaxial Silicon Transistor 
Absolute Maximum Ratings 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics 
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
 V
CBO
 Collector-Base Voltage     : MJE180
  : MJE181
  : MJE182
  60
  80
 100
V
V
V
 V
CEO
 Collector-Emitter Voltage  : MJE180
  : MJE181
  : MJE182
 40
 60
 80
V
V
V
 V
EBO
 Emitter-Base Voltage
  7
V
 I
C
 Collector Current (DC)
  3
A
 
I
CP
 Collector Current (Pulse)
  6
A
 
I
B
 Base Current 
  1
A
 P
C
 Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
 1.5
W
 
P
C
 Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
12.5
W
 T
J
 Junction Temperature
150
°
C
 T
STG
 Storage Temperature
- 65 ~ 150
°
C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
BV
CEO
 Collector -Emitter Breakdown Voltage
         : MJE180
         : MJE181
         : MJE182
 
 I
C 
= 10mA, I
B 
= 0
 
                                                            
40
60
80
V
V
V
 I
CBO
Collector Cut-off Current  
 
: MJE180
         : MJE181
         : MJE182
         : MJE180
         : MJE181
         : MJE182
 V
CB 
= 60V, I
B 
= 0
 V
CB 
= 80V, I
E 
= 0
 V
CB 
= 100V, I
E 
= 0
 V
CB 
= 60V, I
E 
= 0 @ T
C 
= 150
°
C
 V
CB 
= 80V, I
E 
= 0 @ T
C 
= 150
°
C
 V
CB 
= 100V, I
E 
= 0 @ T
C 
= 150
°
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
µ
A
µ
A
µ
A
mA
mA
mA
 I
EBO
 Emitter Cut-off Current
 V
BE 
= 7V, I
C 
= 0
0.1
µ
A
 h
FE
 DC Current Gain
 V
CE 
= 1V, I
C 
= 100mA
 V
CE 
= 1V, I
C 
= 500mA
 V
CE 
= 1V, I
C 
= 1.5A
50
30
12
250
 V
CE
(sat)
 Collector-Emitter Saturation Voltage
 I
C 
= 500mA, I
B 
= 50mA
 I
C 
= 1.5A, I
B 
= 150mA
 I
C 
= 3A, I
B 
= 600mA
0.3
0.9
1.7
V
V
V
 V
BE
(sat)
 Base-Emitter Saturation Voltage
 I
C 
= 1.5A, I
B 
= 150mA
 I
C 
= 3A, I
B 
= 600mA
1.5
2.0
V
V
 V
BE
(on)
 Base-Emitter ON Voltage
 V
CE 
= 1V, I
C 
= 500mA
1.2
V
 f
T
 Current Gain Bandwidth Product
 V
CE 
= 10V, I
C 
= 100mA
50
MHz
 C
ob
 Output Capacitance
 V
CB 
= 10V, I
E 
= 0, f = 0.1MHz
30
pF
MJE180/181/182
Low Power Audio Amplifier 
Low Current High Speed Switching Applications
1
TO-126
1. Emitter    2.Collector    3.Base