Ixys IXGH30N60C3 IGBT 600V IXGH30N60C3 Datenbogen

Produktcode
IXGH30N60C3
Seite von 6
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions. 
     IXGA30N60C3  IXGP30N60C3 
                           IXGH30N60C3 
Symbol   Test Conditions 
                          Characteristic Values 
(T
J
 = 25°C Unless Otherwise Specified)                                  Min.        Typ.       Max. 
g
fs
 
  I
= 20A, V
CE
 = 10V, Note 1 
9               16 
  S 
C
ies
 
            915 
  pF 
C
oes
 
  V
CE
 = 25V, V
GE
 = 0V, f = 1MHz 
              78 
  pF 
C
res
 
              32 
  pF 
Q
g
 
              38 
  nC 
Q
ge
 
  I
= 20A, V
GE
 = 15V, V
CE
 = 0.5 • V
CES
 
                8 
  nC 
Q
gc
 
 
              17 
  nC 
t
d(on)
 
              16 
  ns 
t
ri
 
              26 
  ns 
E
on
 
           0.27 
  mJ 
t
d(off)
 
              42         75       ns 
t
fi
 
              47                ns 
E
off
 
            0.09      0.18       mJ 
t
d(on)
 
              17 
  ns 
t
ri
 
              28 
  ns 
E
on
 
           0.44 
  mJ 
t
d(off)
 
              70 
  ns 
t
fi
 
              90 
  ns 
E
off
 
           0.33 
  mJ 
R
thJC
 
        0.56  °C/W 
R
thCS
 
  TO-220                                                                         0.50               °C/W 
                        TO-247                                                                         0.21              °C/W 
IXYS MOSFETs  and IGBTs are covered 
4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 
6,404,065 B1 
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2    7,157,338B2 
by one or more of the following U.S. patents: 
4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 B1 
6,534,343 
6,710,405 B2  6,759,692 
7,063,975 B2 
4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 B1 
6,583,505 6,710,463 6,771,478 B2  7,071,537 
Dim. 
Millimeter 
Inches 
Min. Max.  Min. Max. 
A 4.7 
5.3 
.185 
.209 
A
1
  2.2 2.54 .087 .102 
A
2
 2.2 2.6 
.059 
.098 
b 1.0 
1.4 
.040 
.055 
b
1
  1.65 2.13 .065 .084 
b
2
  2.87 3.12 .113 .123 
C .4 .8 
.016 
.031 
D 20.80 21.46 .819 .845 
E 15.75 
16.26 .610 .640 
e 5.20 
5.72 
0.205 
0.225 
L 19.81 
20.32 .780 .800 
L1 4.50 .177 
∅P 3.55 3.65 .140 .144 
Q 5.89 6.40 
0.232 
0.252 
R  4.32 5.49 .170 .216 
6.15 BSC 
242 BSC 
∅ P 
 
 TO-247 Outline 
 1       2       3 
Terminals: 1 - Gate 
2 - Collector 
3 - Emitter 
TO-263 Outline 
Pins: 1 
Gate 
2 - Drain 
TO-220 Outline 
1 = Gate 
2 = Collector 
3 = Emitter 
4 = Collector 
1 = Gate       2 = Collector 
3 = Emitter 
Inductive Load, T
J
 = 125°C 
I
C
 = 20A, V
GE
 = 15V 
V
CE
 = 300V, R
G
 = 5
Ω 
Note 2 
Inductive Load, T
J
 = 25°C 
I
C
 = 20A, V
GE
 = 15V 
V
CE
 = 300V, R
G
 = 5
Ω 
Note 2 
Notes: 
             1.  Pulse test, t 
≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%. 
             2.  Switching times & energy losses may increase for higher V
CE
(Clamp), T
J
 or R
G