Panasonic UP0KG8DG User Manual

Multi Chip Discrete 

Publication date: October 2007 

SJJ00402AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon epitaxial planar type (SBD)

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)

For digital circuits



 Features



 Two elements incorporated into one package (SBD + Tr)



 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of 

the number of parts



 Basic Part Number



 MA2SD240G + UNR31A3G



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

SBD

Reverse voltage

V

R

20

V

Repetitive peak reverse voltage

V

RRM

20

V

Forward current (Average)

I

F(AV)

200

mA

Peak forward current

I

FM

300

mA

Non-repetitive peak forward 
surge current

I

FSM

1

A

Tr

Collector-base voltage 
(Emitter open)

V

CBO

-

50

V

Collector-emitter voltage 
(Base open)

V

CEO

-

50

V

Collector current

I

C

-

80

mA

Overall

Total power dissipation

P

T

125

mW

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +125

°

C

Note) *: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)



 Package



Code

  SSMini5-F3 


Pin Name

  1: Anode 

4: Collector

  2: Base 

5: Cathode

  3: Emitter



 Marking Symbol: 6K



 Internal Connection

3

4

1

2

5

Tr

SBD