Panasonic MA24F70 User Manual

Fast Recovery Diodes (FRD) 

Publication date: November 2008 

SKJ00022AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon epitaxial planar type

For high speed switching circuits



 Features



 Super high speed switching characteristic: t

rr

 = 15 ns (typ.)



 Low impedance by clip bonding package (TMP)



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V

RRM

700

V

Non-repetitive peak reverse surge voltage

V

RSM

700

V

Forward current 

*1

I

F

1.0

A

Non-repetitive peak forward surge current 

*2

I

FSM

20

A

Junction temperature

T

j

-40 to +150

°

C

Storage temperature

T

stg

-40 to +150

°

C

Note) *1: Mounted on an alumina PC board
 

*2: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)



 Electrical Characteristics   T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

V

F

I

F

 = 1.0 A

1.3

1.7

V

Reverse current

I

RRM

V

RRM

 = 700 V

20

m

A

Terminal capacitance

C

t

V

R

 = 0 V, f = 1 MHz

25

pF

Reverse recovery time 

*

t

rr

I

F

 = 0.5 A, I

R

 = 1.0 A

I

rr

 = 0.25 A

15

45

ns

Note) 1.  Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 

2.  This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage of 

current from the operating equipment.

 

3.  *: t

rr

 measurement circuit

50 Ω

50 Ω

5.5 Ω

D.U.T.

I

F

I

R

0.25 × I

R

t

rr



 Package



Code

  TMiniP2-F1


Pin Name

  1: Anode
  2: Cathode



 Marking Symbol: H1