Panasonic UP05C8PG User Manual

Multi Chip Discrete 

Publication date: March 2008 

SJJ00401AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)

Silicon epitaxial planar type (CCD load device)

For CCD output circuits



 Features



 Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device)



 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of 

the number of parts.



 Basic Part Number



 2SC3932G + CCD load device



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Tr

Collector-base voltage 
(Emitter open)

V

CBO

30

V

Collector-emitter voltage 
(Base open)

V

CEO

20

V

Emitter-base voltage 
(Collector open)

V

EBO

3

V

Collector current

I

C

50

mA

CCD
load
device

Limiting element voltage

V

max

40

V

Limiting element current

I

max

10

mA

Overall

Total power dissipation 

*

P

T

125

mW

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +125

°

C

Note) * : Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm



 Package



Code

  SSMini6-F2 


Pin Name

  1: Emitter 

4: Source

  2: Base 

5: Drain

  3: Gate 

6: Collector



 Marking Symbol: 4X



 Internal Connection

3

(G)

(S)

4

1

(E)

2

(B)

(C)

6

(D)

5

Tr

FET