Panasonic 2SC6054G User Manual

Transistors 

Publication date: June 2007 

SJC00405AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon NPN epitaxial planar type

For general amplification
Complementary to 2SA2174G



 Features



 High forward current transfer ratio h

FE



 SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic 

insertion through the tape packing.



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

60

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

50

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

7

V

Collector current

I

C

100

mA

Peak collector current

I

CP

200

mA

Collector power dissipation

P

C

125

mW

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

-

55 to +125

°

C



 Electrical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

I

C

 = 10 mA, I

E

 = 0

60

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

I

C

 = 2 mA, I

B

 = 0

50

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

I

E

 = 10 mA, I

C

 = 0

7

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 20 V, I

E

 = 0

0.1

m

A

Collector-emitter cutoff current  (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 10 V, I

B

 = 0

100

m

A

Forward current transfer ratio

h

FE

V

CE

 = 10 V, I

C

 = 2 mA

2 mA

 mA

160

460



Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 100 mA, I

B

 = 10 mA

0.1

0.3

V

Transition frequency

f

T

V

CB

 = 10 V, I

E

 = -2 mA, f = 200 MHz

100

MHz

Collector output capacitance 
(Common base, input open circuited)

C

ob

V

CB

 = 10 V, I

E

 = 0, f = 1 MHz

2.2

pF

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.



 Package



Code

  SSMini3-F3 


Marking Symbol: 7M



Pin Name

  1: Base
  2: Emitter
  3: Collector