Panasonic MALHxxxYG Series User Manual

Zener Diodes 

Publication date: October 2008 

SKE00047AED 

1

 

This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon planar type

For constant voltage, constant current, waveform clipper and surge absorption circuit



 Features



 Extremely low noise voltage caused from the diode 



 Extremely good rising performance (in the low-current range)



 Independent wiring of two element



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Repetitive peak forward current

I

FRM

200

mA

Total power dissipation 

*

P

T

150

mW

Junction temperature

T

j

150

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

°

C

Note) *: P

T

 = 150 mW achieved with a printed circuit board.



 Common Electrical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

V

F

I

F

 = 10 mA

0.9

1.0

V

Zener voltage 

*1

V

Z

I

Z

 

Specified value

V

Zener rise operating resistance

R

ZK

I

Z

  

Specified value

Refer to the list of the 
electrical characteristics 
within part numbers

W

Zener operating resistance

R

Z

I

Z

  

Specified value 

W

Reverse current

I

R

V

R

  

Specified value

m

A

Temperature coefficient of zener voltage 

*2

S

Z

I

Z

  

Specified value

mV/°C

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 

2. Absolute frequency of input and output is 5 MHz.

 

3. The temperature must be controlled 25°C for V

Z

 mesurement.

 

  V

Z

 value measured at other temperature must be adjusted to V

Z

 (25°C)

 

4. *1 : V

Z

 guaranted 20 ms after current flow.

 

  *2 : T

j

 = 25°C to 150°C



 Package



Code

  SMini4-F2 


Pin Name

  1: Anode 1 

3: Cathode 2

  2: Anode 2  

4: Cathode 1



 Marking symbol

  Refer to the list of the electrical 
  characteristics within part numbers