Panasonic PNA1803L User Manual

SHE00054BED

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Publication date: October 2008

1

Phototransistors

Silicon planar type

For optical control systems



 Features



 Fast response



 Wide spectral sensitivity characteristics



 φ3 plastic package



Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

20

V

Emitter-collector voltage (Base open)

V

ECO

5

V

Collector current

I

C

20

mA

Collector power dissipation 

*

P

C

50

mW

Operating ambient temperature

T

opr

–25 to +85

°

C

Storage temperature

T

stg

–30 to +100

°

C



Electrical-Optical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Photocurrent 

*1

I

L

V

CE

 = 10 V, L = 1 000 lx

1.0

3.0

mA

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 10 V

1

500

nA

Peak sensitivity wavelength

λ

PD

V

CE

 = 10 V

800

nm

Half-power angle

θ

The angle when the photocurrent is 
halved

30

°

Rise time 

*2

t

r

V

CC

 = 10 V, I

L

 = 1 mA, R

L

 = 100 W

2.5

µ

s

Fall time 

*2

t

f

3.5

µ

s

Note) 1.  Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 

2.  Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

 

3.  This device is designed by disregarding radiation.

 

4.  *1: Source: Tungsten lamp (color temperature 2 856K)

 

    *2: Switching time measurement circuit

50 Ω

R

L

V

CC

Sig. out

10%

90%

Sig. in

t

r

t

f

(Input pulse)

(Output pulse)

t

r

 : Rise time

t

f

 :

 Fall time