Panasonic 2SC6036G User Manual

Page of 4
Transistors 
Publication date: June 2007 
SJC00402AED 
1
 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SC6036G
Silicon NPN epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SA2162G
 Features
 Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
 SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic 
insertion through the tape packing
 Absolute Maximum Ratings  T
a
 = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
500
mA
Peak collector current
I
CP
1
A
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +125
°
C
 Electrical Characteristics  T
a
 = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
 = 10 mA, I
E
 = 0
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
 = 1 mA, I
B
 = 0
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
E
 = 10 mA, I
C
 = 0
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
 = 10 V, I
E
 = 0
0.1
m
A
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE
 = 2 V, I
C
 = 10 mA
270
680
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
 = 200 mA, I
B
 = 10 mA
250
mV
Transition frequency
f
T
V
CB
 = 2 V, I
E
 = –10 mA, f = 200 MHz
–10 mA, f = 200 MHz
10 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Collector output capacitance 
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
 = 10 V, f = 1 MHz
4.5
pF
Note)  Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 Package
Code
  SSSMini3-F2
Marking Symbol: 4U
Pin Name
  1: Base
  2: Emitter
  3: Collector