Panasonic 2SA2079 User Manual

Page of 3
Transistors 
Publication date : December 2004 
SJC00326AED 
1
2SA2079
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SC5848
 Features
 High forward current transfer ratio h
FE
 Suitable for high-density mounting and douwsizing of the equipment for 
ultraminiature leadless package
  Package: 0.6 mm × 1.0 mm (hight 0.39 mm)
 Absolute Maximum Ratings  T
a
 = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
–45
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
–45
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
–7
V
Collector current
I
C
–100
mA
Peak collector current
I
CP
–200
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +125
°
C
 Electrical Characteristics  T
a
 = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
 = –10 µA, I
E
 = 0
–45
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
 = –2 mA, I
B
 = 0
–45
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
E
 = –10 µA, I
C
 = 0
–7
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
 = –20 V, I
E
 = 0
– 0.1
µ
A
Collector-emitter cut-off current (Base open)
I
CEO
V
CE
 = –10 V, I
B
 = 0
–100
µ
A
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE
 = –10 V, I
C
 = –2 mA
180
390
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
 = –100 mA, I
B
 = –10 mA
– 0.2
– 0.5
V
Transition frequency
f
T
V
CB
 = –10 V, I
E
 = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Collector output capacitance 
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
 = –10 V, I
E
 = 0, f = 1 MHz
2.2
pF
Note)  Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector 
ML3-N2 Package
0.60
±0.0
5
1.00
±
0.05
2
1
3
0.39
+
0.01
0.03
0.25
±
0.05
0.25
±
0.05
0.5
0
±0.05
0.65
±
0.01
0.15
±0.0
5
2
1
0.35
±0.0
1
0.05
±
0.03
0.0
5
±0.0
3
3
Marking Symbol : 3D
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).