Panasonic 2SA2163 User Manual

Transistors 

Publication date: May 2005 

SJC00336AED 

1

Silicon PNP epitaxial planar type

For high frequency amplifi cation



 Features







 High transition frequency f





T

 High transition frequency f

 High transition frequency f



 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 





Ultraminiature leadless package

  0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm) 



 Absolute Maximum Ratings  





T

a

 = 25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

−

30

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

−

20

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

−

5

V

Collector current

I

C

−

30

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Junction temperature

T

j

TT

125

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

−

55 to +125

°

C



 Electrical Characteristics  





T

a

 = 25

aa

°

C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Base-emitter voltage

V

BE

V

V

V

CE

 = 

CE

CE

−

10 V, I

C

 = −1 mA

−

 0.7

−−

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = −10 V, I

E

 = 0

EE

−

 0.1

−−

µ

A

Collector-emitter cutoff current  (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 

CE

CE

−

20 V, I

B

 = 0

−

100

µ

A

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I

EBO

V

EB

 = −5 V, I

C

 = 0

−

10

µ

A

Forward current transfer ratio

h

FE

hh

V

CE

 = 

CE

CE

−

10 V, I

C

 = −1 mA

70

220



Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = −10 mA, I

B

 = −1 mA

−

 0.1

−−

V

Transition frequency

f

T

ff

V

CB

 = −10 V, I

E

 = 1 mA, f = 200 MHz

EE

150

300

MHz

Noise fi gure

NF

V

CB

 = −10 V, I

E

 = 1 mA, f = 5 MHz

EE

2.8

4.0

dB

Reverse transfer impedance

Z

rb

V

CB

 = −10 V, I

E

 = 1 mA, f = 2 MHz

EE

22

50

Ω

Reverse transfer capacitance (Common emitter)

C

re

V

CB

 = −10 V, I

E

 = 1 mA, f = 10.7 MHz

EE

1.2

2.0

pF

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Marking Symbol: 6J

Unit: mm

1: Base

2: Emitter

3: Collector 

ML3-N2 Package

0.60

±0.05

1.00

±0.05

2

1

3

0.39

+0.01

−

0.03

0.25

±0.05

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.65

±0.01

0.15

±0.05

2

1

0.35

±0.01

0.05

±0.03

0.05

±0.03

3

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).