Panasonic 2SA2174G User Manual

Page of 4
Transistors 
Publication date: May 2007 
SJC00386AED 
1
 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SA2174G
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SC6054G
 Features
 High forward current transfer ratio h
FE
 SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic 
insertion through the tape packing.
 Absolute Maximum Ratings  T
a
 = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
-
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
-
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
-
7
V
Collector current
I
C
-
100
mA
Peak collector current
I
CP
-
200
mA
Collector power dissipation
P
C
125
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
Storage temperature
T
stg
-
55 to +125
°
C
 Electrical Characteristics  T
a
 = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
 = -10 mA, I
E
 = 0
-
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
 = -2 mA, I
B
 = 0
-
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
E
 = -10 mA, I
C
 = 0
-
 7
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
 = -20 V, I
E
 = 0
-
 0.1
m
A
Collector-emitter cutoff current  (Base open)
I
CEO
V
CE
 = -10 V, I
B
 = 0
-
100
m
A
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE
 = -10 V, I
C
 = -2 mA
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
 = -100 mA, I
B
 = -10 mA
-
 0.2
-
 0.5
V
Transition frequency
f
T
V
CB
 = -10 V, I
E
 = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Collector output capacitance 
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
 = -10 V, I
E
 = 0, f = 1 MHz
2.2
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 Package
Code
  SSMini3-F3
Marking Symbol: 7L
Pin Name
  1. Base
  2. Emitter
  3. Collector