Panasonic 2SC5609G User Manual

Transistors 

Publication date : November 2008 

SJC00427BED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon NPN epitaxial planar type

For general amplification
Complementary to 2SA2021G



 Features



 High forward current transfer ratio h

FE

 



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

60

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

50

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

7

V

Collector current

I

C

100

mA

Peak collector current

I

CP

200

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +125

°

C



 Electrical Characteristics  T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

I

C

 = 10 mA, I

E

 = 0

60

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

I

C

 = 2 mA, I

B

 = 0

50

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

I

E

 = 10 mA, I

C

 = 0

7

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 20 V, I

E

 = 0 

0.1

m

A

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 10 V, I

B

 = 0 

100

m

A

Forward current transfer ratio

h

FE1

V

CE

 = 10 V, I

C

 = 2 mA

180

390



h

FE2

 *

V

CE

 = 2 V, I

C

 = 100 mA

90

Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 100 mA, I

B

 = 10 mA

0.1

0.3

V

Transition frequency

f

T

V

CB

 = 10 V, I

E

 = –2 mA, f = 200 MHz

80

MHz

Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)

C

re

V

CB

 = 10 V, I

E

 = 0, f = 1 MHz

3.5

pF

Note)  1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 

2. *: Pulse measurement 



 Package



Code

  SSSMini3-F2


Pin Name

  1. Base
  2. Emitter
  3. Collector



 Marking Symbol: 3F