Panasonic 2SC6050 User Manual

Transistors 

Publication date: May 2005 

SJC00335AED 

1

Silicon NPN epitaxial planar type

For high frequency amplifi cation, oscillation and mixing



 Features







 High transition frequency f





T

 High transition frequency f

 High transition frequency f



 Small collector output capacitance (Common base, input open circuited) C





ob

and reverse transfer capacitance (Common base) C

rb



 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 





Ultraminiature leadless package

  0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm)



 Absolute Maximum Ratings  





T

a

 = 25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

15

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

10

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

3

V

Collector current

I

C

50

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Junction temperature

T

j

TT

125

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

−

55 to +125

°

C



 Electrical Characteristics  





T

a

 = 25

aa

°

C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

I

C

 = 2 mA, I

B

 = 0

10

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

I

E

 = 10 

EE

µ

A, I

C

 = 0

3

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 10 V, I

E

 = 0

EE

1

µ

A

Forward current transfer ratio

h

FE

hh

V

CE

 = 4 V, I

CE

CE

C

 = 5 mA

75

400



Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 20 mA, I

B

 = 4 mA

0.5

V

Transition frequency

f

T

ff

V

CB

 = 4 V, I

E

 = 

EE

−

5 mA, f = 200 MHz

1.4

1.9

2.7

GHz

Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)

C

ob

V

CB

 = 4 V, I

E

 = 0, f = 1 MHz

EE

1.4

pF

Reverse transfer capacitance (Common base)

C

rb

V

CB

 = 4 V, I

E

 = 0, f = 1 MHz

EE

0.45

pF

Collector-base parameter

r

bb'

rr  c



c

V

CB

 = 4 V, I

E

 = 

EE

−

5 mA, f = 31.9 MHz

11

ps

h

FE

hh  ratio

FE

FE

∆

h

∆∆

FE

hh

V

CE

 = 4 V, I

CE

CE

C

 = 100 µA / V

CE

 = 4 V, I

CE

CE

C

 = 

C

C

5 mA

0.75

1.6



Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Unit: mm

1: Base

2: Emitter

3: Collector 

ML3-N2 Package

0.60

±0.05

1.00

±0.05

2

1

3

0.39

+0.01

−

0.03

0.25

±0.05

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.65

±0.01

0.15

±0.05

2

1

0.35

±0.01

0.05

±0.03

0.05

±0.03

3

Marking Symbol: 6N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).