Panasonic MA2DF62 User Manual

Fast Recovery Diodes (FRD) 

Publication date: December 2008 

SKJ00024AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon Mesa type

For high frequency rectification



 Features



 Super high speed switching characteristic: t

rr

 = 15 ns (typ.)



 Low noise type



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V

RRM

600

V

Non-repetitive peak reverse surge voltage

V

RSM

600

V

Forward current (Average) 

*1

I

F(AV)

10

A

Non-repetitive peak forward surge current 

*2

I

FSM

40

A

Junction temperature

T

j

150

°

C

Storage temperature

T

stg

-40 to +150

°

C

Note) *1: T

C

 = 25°C

 

*2: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)



 Electrical Characteristics   T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

V

F

I

F

 = 10 A

1.8

2.5

V

Reverse current

I

RRM

V

RRM

 = 600 V

30

m

A

Reverse recovery time 

*

t

rr

I

F

 = 0.5 A, I

R

 = 1.0 A

I

rr

 = 0.25 A

15

25

ns

Thermal resistance (j-c)

R

th(j-c)

3.0

°

C/W

Thermal resistance (j-a)

R

th(j-a)

63

°

C/W

Note) 1.  Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

 

2.  This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage of 

current from the operating equipment.

 

3.  *: t

rr

 measurement circuit

50 Ω

50 Ω

5.5 Ω

D.U.T.

I

F

I

R

0.25 × I

R

t

rr



 Package



Code

  TO-220D-B1 


Pin Name

  1: Cathode
  2: Anode



 Marking Symbol: MA2DF62