Panasonic MA24F41 User Manual

Page of 3
Fast Recovery Diodes (FRD) 
Publication date: February 2007 
SKJ00018AED 
1
 
This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA24F41
Silicon epitaxial planar type
For high speed switching circuits
 Features
 Super high speed switching characteristic (t
rr
 = 15 nsec typ.)
 At the same time as lowering the wiring inductance and increasing the peak 
surge forward current, the resistance to surge damage at power on has been 
increased by adopting clip connection package (TMP).
 Absolute Maximum Ratings  T
a
 = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
400
V
Non-repetitive peak reverse surge voltage
V
RSM
400
V
Forward current 
*1
I
F
1.0
A
Non-repetitive peak forward surge current 
*2
I
FSM
20
A
Junction temperature
T
j
–40 to +150
°
C
Storage temperature
T
stg
–40 to +150
°
C
Note) *1: Mounted on an alumina PC board 
 
*2: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)
 Electrical Characteristics  T
a
 = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
 = 800 mA
1.0
1.3
V
Reverse current
I
RRM
V
RRM
 = 400 V
20
m
A
Terminal capacitance
C
t
V
R
 = 0 V, f = 1 MHz
30
pF
Reverse recovery time 
*
t
rr
I
F
 = 0.5 A, I
R
 = 1.0 A
I
rr
 = 0.25 A
15
45
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 
2. Absolute frequency of input and output is 10 MHz.
 
3. *: t
rr
 measurement circuit
D.U.T
t
rr
0.25
 
×
 
I
R
I
F
I
R
50 Ω
5.5 Ω
50 Ω
Unit: mm
1 : Anode
2 : Cathode 
TMiniP2-F1 Package
2.40
±
0.10
0.15
±
0.05
1
2
1.75
±
0.05
4.70
±0.10
3.80
±0.05
0.450
±0.05
0 to 0.40
0 to 0.0
3
0.90MAX
Marking Symbol: G2