Panasonic MANV250GE User Manual

Zener Diodes 

Publication date: October 2005 

SKE00038AED 

1

Silicon planar type

For surge protect



 Features



 Large surge reduction power



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Peak pulse power  

*1

P

PP

450

W

Peak pulse current 

*1

I

PP

9

A

Maximum peak reverse voltage

V

RM

18

V

Total power dissipation 

*2

P

T

150

mW

Junction temperature

T

j

150

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

°

C

Electrostatic discharge 

*3

ESD

±

30

kV

Note) *1 : Test method: IEC61000-4-5 (tp = 8/20 ms, Unrepeated)
 

*2: P

T

 = 150 mW achieved with a printed circuit board.

 

*3 : Test method: IEC61000-4-2 (C = 150 pF, R = 330 W, Contact discharge: 10 times)



 Electrical Characteristics   T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Breakdown voltage 

*1

V

BR

I

R

 = 1 mA

20.0

25.0

30.0

V

Reverse current

I

R

V

R

 = 18 V

10.0

m

A

Clamping voltage 

*2

V

C

I

PP

 = 9.0 A, tp = 8/20 ms

50.0

V

Terminal capacitance

C

t

I

R

 = 0 V, f = 1 MHz

76

pF

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 

2. *1: V

Z

 guaranted 20 ms after current flow.

 

  *2: Pulse Waveform

100

90

50

10

T2

T

t

T1

Percent of 

I

PP

Front time:

T1 = 1.25 × T = 8 µs ±20%

Time to half value:

T2 = 20 µs ±20% 

 

 



 Package



Code

  SMini2-F3 


Pin Name

  1: Anode
  2: Cathode 



 Marking Symbol: RD