Panasonic MALT062HG User Manual

Zener Diodes 

Publication date: October 2007 

SKE00037AED 

1

Silicon planar type

For ESD protection



 Features



 Electrostatic discharge ESD: ±30 kV



 Four elements anode-common type



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Total power dissipation 

*1

P

D

150

mW

Electrostatic discharge 

*2

ESD

±

30

kV

Junction temperature

T

j

150

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

°

C

Note) *1 : P

D

 = 150 mW achieved with a printed circuit board.

 

*2 : Test method: IEC61000-4-2

 

    (C = 150 pF, R = 330 W, Contact discharge: 10 times)



 Electrical Characteristics   T

a

 = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Breakdown voltage 

*

V

BR

I

R

 = 1 mA

5.8

6.2

6.6

V

Reverse current

I

R

V

R

 = 4.0 V

1.0

m

A

Terminal capacitance

C

t

V

R

 = 0 V, f = 1 MHz

55

pF

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 

2. The temperature must be controlled 25°C for V

BR

 mesurement.

 

  V

BR

 value measured at other temperature must be adjusted to V

BR

 (25°C)

 

3. *: V

BR

 guaranted 20 ms after current flow.



 Package



Code

  SSMini3-F3  


Pin Name

  1: Cathode 1
  2: Cathode 2
  3: Anode 1, 2



 Marking Symbol: 6.2E



 Internal Connection

2

1

3