Panasonic MTM86627 User Manual

Multi Chip Discrete 

Publication date: March 2008 

SJF00085AED 

1

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon P-channel MOS FET (FET)

Silicon epitaxial planar type (SBD)

For DC-DC converter
For switching circuits



 Overview

  MTM86627 is the composite MOS FET (P-channel MOS FET and Schttoky 

Barrier Diode) that is highly suitable for DC-DC converter and other switching 
circuits. 



 Features



 Built-in schottky barrier diode: V

R

 = 15 V, I

F

 = 700 mA



 Low on-resistance: R

on

 = 80 mW (V

GS

 = –4.0 V)



 Low short-circuit input capacitance (Common source): C

iss

 = 300 pF



 Small package: WSSMini6-F1 (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm)



 Low drive Voltage: 1.8 V drive



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

FET

Drain-source surrender voltage

V

DSS

–20

V

Gate-source surrender voltage

V

GSS

±

10

V

Drain current

I

D

–2.0

A

Peak drain current

I

DP

–8.0

A

Channel temperature

T

ch

150

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

°

C

SBD

Reverse voltage

V

R

15

V

Forward current (Average)

I

F(AV)

700

mA

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +125

°

C

Overall Total power dissipation 

*

P

D

540

mW

Note) *: Measuring on ceramic substrate at 40 mm × 38 mm × 0.2 mm
 

  Absolute maximum rating without heat sink for P

D

 is 150 mA



 Package



Code

  WSSMini6-F1 


Pin Name

  1: Gate 

4: Cathode

  2: Source 

5: Drain

  3: Anode 

6: Drain

 



 Marking Symbol: PK



 Internal Connection

1

(G)

2

(S)

3

(A)

(K)

4

(D)

5

(D)

6