Panasonic UP05C8G User Manual

Multi Chip Discrete 

Publication date: November 2005 

SJJ00348AED 

1

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)

Silicon epitaxial planar type (CCD load device)

For CCD output circuits



 Features



 Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device)



 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of 

the number of parts.



 Basic Part Number



 2SC3932 + CCD load device



 Absolute Maximum Ratings  T

a

 = 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Tr

Collector-base voltage 
(Emitter open)

V

CBO

30

V

Collector-emitter voltage 
(Base open)

V

CEO

20

V

Emitter-base voltage 
(Collector open)

V

EBO

3

V

Collector current

I

C

50

mA

CCD
load
device

Limiting element voltage

V

max

40

V

Limiting element current

I

max

10

mA

Overall

Total power dissipation 

*

P

T

125

mW

Junction temperature

T

j

125

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +125

°

C

Note) * : Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

Marking Symbol: 4V

Internal Connection

3

(G)

(S)

4

1

(E)

2

(B)

(C)

6

(D)

5

Tr

FET

Unit: mm

1:  Emitter 

4:  Source

2:  Base 

5:  Drain

3:  Gate 

6:  Collector

    

    SSMini6-F1 Package

(0.30)

0.10

±

0.02

6

5

4

1

2

3

5°

5°

0.20

+0.05

–0.02

1.6

0

±0.05

0.55

±0.05

0.10

 max

.

0 to 0.0

2

(0.20

)

1.60

±

0.05

1番ピン端子表示

1.2

0

±0.05

(0.20

)

1.00

±

0.05

(0.50)(0.50)