Fujitsu 163-0731 User Manual

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第 2 章 技術解説

■ 他の強誘電体材料

FRAM 用の強誘電体薄膜キャパシタ材料としては , これまで PZT の研究が最も多く行われてきまし  

た。これは , PZT が大きな残留分極値（2Pr）を有している上に , 比較的容易に強誘電性が得られるこ  
とや FRAM として用いるのに適当な抗電界値（Ec）を持っているためです。これに対して , Bi 層状 
化合物である SBT: SrBi

2

Ta

2

O

9

は , Ec が小さく , 薄膜化による動作電圧の低減が可能な上に , 10

12

回の    

分極反転後も疲労がほとんど見られないという特長があります。

SBT の結晶構造を図 2.3 に示します。

図 2.3　SBT (SrBi

2

Ta

2

O

9

) 結晶構造

:Sr

:Bi

:Ta

:O

Bi 

Bi 

Bi