Elixir 4GB DDR3 M2S4G64CB8HG5N-CG User Manual

 

Based on DDR3-1333/1600 256Mx8 SDRAM G-Die

•Performance: 

Speed Sort 

PC3-10600 

PC3-12800 

Unit 

-CG 

-DI 

DIMM CAS Latency 

9 

11 

fck 

– Clock Freqency 

667 

800 

MHz 

tck 

– Clock Cycle 

1.5 

1.25 

ns 

fDQ 

– DQ Burst Freqency 

1333 

1600 

Mbps 

 

•204-Pin Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM) 

• 2GB / 4GB: 256Mx64 / 512Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM 

based on 256Mx8 DDR3 SDRAM G-Die devices.  

• Intended for 667MHz/800MHz applications 

• Inputs and outputs are SSTL-15 compatible 

• VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to 

VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 

• VDD = VDDQ = 1.5V  0.075V 

• SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation 

• Differential clock inputs 

• Data is read or written on both clock edges 

• DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. 

• Auto Self-Refresh option 

• Nominal and Dynamtic On-Die Termination support 

• Extended operating temperature rage 

 

• Serial Presence Detect 

Programmable Operation: 

- DIMM 

 Latency: 5, 6, 7,8,9,10,11 

- Burst Type: Sequential or Interleave 

- Burst Length: BC4, BL8 

- Operation: Burst Read and Write  

• Address and control signals are fully synchronous to positive 

clock edge 

• Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) 

• 15/10/1 (row/column/rank) Addressing for 2GB 

• 15/10/2 (row/column/rank) Addressing for 4GB 

• Gold contacts 

• SDRAMs are in 78-ball BGA Package 

• RoHS compliance and Halogen Free 

 

 

M2S2G64CB88G5N / M2S4G64CB8HG5N are unbuffered 204-Pin Double Data Rate 3 (DDR3) Synchronous DRAM Small Outline Dual 

In-Line Memory Module (SO-DIMM), organized as two ranks of 256Mx64 (2GB) and 512Mx64 (4GB) high-speed memory array. Modules 

use eight 256Mx8 (2GB) 78-ball BGA packaged devices and sixteen 256Mx8 (4GB) 78-ball BGA packaged devices. These DIMMs are 

manufactured using raw cards developed for broad industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes 

electrical variation between suppliers. All Elixir DDR3 SODIMMs provide a high-performance, flexible 8-byte interface in a space-saving 

footprint. 

The DIMM is intended for use in applications operating of 667MHz/800MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer rates of 

1333Mbps/12800Mbps. Prior to any access operation, the device 

 latency and burst/length/operation type must be programmed into 

the DIMM by address inputs A0-A13 (2GB)/A0-A14 (4GB) and I/O inputs BA0~BA2 using the mode register set cycle. 

The DIMM uses serial presence-detect implemented via a serial EEPROM using a standard IIC protocol. The first 128 bytes of SPD data 

are programmed and locked during module assembly. The remaining 128 bytes are available for use by the customer.