Shanghai SIMCom Wireless Solutions Limited 201802 User Manual

Page of 60
Smart Machine Smart Decision
SIM7600V-H_User Manual_V1.00
2018-02-24
47
Table 33: Current consumption on VBAT Pins (VBAT=3.8V)
LTE Sleep/Idle mode
LTE supply current
(without USB connection)
Sleep mode Typical: 1.56
Idle mode Typical: 22
LTE Data
LTE-FDD B2
@5 MHz
22.2dBm
Typical: 589mA
@10 MHz 22.7dBm
Typical: 577mA
@20 MHz 22.38dBm Typical: 626mA
LTE-FDD B4
@5 MHz
23.05dBm Typical: 519mA
@10 MHz 23.04dBm Typical: 556mA
@20 MHz 22.83dBm Typical: 600mA
LTE-FDD B5
@5Mbps
22.2dBm
Typical: 610mA
@10Mbps 22.1dBm
Typical: 600mA
@20Mbps 22.1dBm
Typical: 630mA
LTE-FDD B13
@5Mbps
21.9dBm
Typical: 505mA
@10Mbps 22.0dBm
Typical: 497mA
5.5 ESD Notes
Module is sensitive to ESD in the process of storage, transporting and assembling. Especially,
Module is mounted on the users’ mother board, The ESD components should be placed beside the
connectors which human body might touch, such as USIM card holder, audio jacks, switches and
keys, etc. The following table shows the Module ESD measurement performance without any
external ESD component.
Table 34: The ESD performance measurement table (Temperature: 25, Humidity: 45%)
Part
Contact discharge
Air discharge
GND
+/-6K
+/-12K
VBAT
+/-5K
+/-10K
Antenna port
+/-5K
+/-10K
USB
+/-4K
+/-8K
UART
+/-4K
+/-8K
PCM
+/-4K
+/-8K
Other PADs
+/-3K
+/-6K