Silicon Power 1GB PC3-10600 SP001GBLTU133S02 User Manual

 

                                                                   

                                                                                                240pin DDR3 1333 Unbuffered DIMM 

 

 

 

˙

˙

˙

˙240-pin, unbuffered dual in-line memory module 
˙

˙

˙

˙Fast data transfer rates: PC3-10600 
˙

˙

˙

˙VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V 
˙

˙

˙

˙VDDSPD = +3.0V to +3.6V 
˙

˙

˙

˙Interface: SSTL_15 
˙

˙

˙

˙Programmable CAS Latency: 6, 7,8,9 
˙

˙

˙

˙Reset pin for improved system stability 
˙

˙

˙

˙8 internal device banks for concurrent operation 
˙

˙

˙

˙Fixed burst length of 8 (BL8) and burst chop of 4 (BC4) via the mode register 
˙

˙

˙

˙Adjustable data-output drive strength 
˙

˙

˙

˙Serial presence-detect (SPD) EEPROM 
˙

˙

˙

˙The high-speed data transfer is realized by the 8 bits prefetch pipelined architecture 
˙

˙

˙

˙Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) 
˙

˙

˙

˙ZQ calibration for DQ drive and ODT 
˙

˙

˙

˙Fly-by topology 
˙

˙

˙

˙Terminated command, address, and control bus 
˙

˙

˙

˙Refresh cycles Average refresh period 

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C   
3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C 

˙

˙

˙

˙Commands entered on each positive CK edge; data and data mask referenced to both 

˙

˙

˙

˙On-Die-Termination (ODT) for better signal quality