Transcend 1GB DDR3 TS128MSK72V3U User Manual

Product codes
TS128MSK72V3U
Page of 3
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Features 
 
RoHS compliant products. 
 
JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power supply 
 
VDDQ=1.5V ± 0.075V 
 
Clock Freq: 667MHZ for 1333Mb/s/Pin. 
 
Clock Freq: 800MHZ for 1600Mb/s/Pin.   
 
Programmable CAS Latency: 5, 6, 7, 8, 9 ,10, 11   
 
Programmable Additive Latency (Posted /CAS):           
0,CL-2 or CL-1 clock 
 
Programmable /CAS Write Latency (CWL)   
= 7(DDR3-1333) , 8(DDR3-1600) 
 
8 bit pre-fetch 
 
Burst Length: 4, 8 
 
Bi-directional Differential Data-Strobe 
 
Internal calibration through ZQ pin 
 
On Die Termination with ODT pin 
 
Serial presence detect with EEPROM 
 
On DIMM thermal Sensor 
 
Asynchronous reset 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Pin Identification
 
Symbol 
Function 
A0~A14, BA0~BA2 
Address/Bank input 
DQ0~DQ63 
Data Input / Output. 
DQS0~DQS8 
Data strobes 
/DQS0~/DQS8 
Differential Data strobes 
CB0~CB7 
DIMM ECC check bits 
CK0, /CK0,CK1, /CK1
 
Clock Input. (Differential pair) 
CKE0, CKE1 
Clock Enable Input. 
ODT0, ODT1 
On-die termination control line 
/CS0, /CS1 
DIMM Rank Select Lines. 
/RAS 
Row Address Strobe 
/CAS 
Column Address Strobe 
/WE 
Write Enable 
DM0~DM8 
Data masks/high data strobes 
VDD 
Voltage power supply 
VDDQ 
Voltage Power Supply for DQS 
V
REF
DQ/ V
REF
CA 
Power Supply for Reference 
VDDSPD 
SPD EEPROM Power Supply 
SA0~SA1 
I2C serial bus address select for 
EEPROM 
SCL 
I2C serial bus clock for EEPROM 
SDA 
I2C serial bus data for EEPROM 
VSS 
Ground 
/RESET 
Set DRAMs Known State 
VTT 
SDRAM I/O termination supply 
NC 
No Connection 
DDR3 ECC SO-DIMM is high-speed, low power memory module that use 
DDR3 SDRAM in FBGA  package and a 2048  bits serial  EEPROM on a 
204-pin  printed  circuit  board.  DDR3  ECC  SO-DIMM  is  a  Dual  In-Line 
Memory  Module  and  is  intended  for  mounting  into  204-pin  edge 
connector sockets. 
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system 
clock. Data I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range 
of operation frequencies, programmable latencies allow the same device 
to  be  useful  for  a  variety  of  high  bandwidth,  high  performance  memory 
system applications.
 
DDR3 ECC SO-DIMM